數據列表
微功耗、零漂移、真正的軌到軌儀表放大器;
標準包裝
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1,000
包裝
標準卷帶
類別
集成電路（IC）
產品族
線性 - 放大器 - 儀表，運算放大器，緩沖器放大器
系列
-
其它名稱
AD8237ARMZ-R7TR
AD8237ARMZR7
放大器類型
儀表
電路數
1
輸出類型
滿擺幅
壓擺率
0.15 V/μs
-3db 帶寬
200kHz
電流 - 電源
115μA
電流 - 輸出/通道
4mA
電壓 - 電源，單/雙（±）
1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
供應商器件封裝
8-MSOP
盡管所花的時間與成本幾乎比所有人預期得要多，半導體產業終于還是
快要盼到極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)微影技術的大量生產──
在近日于美國舊金山舉行的2017年度Semicon West半導體設備展，微
影設備大廠ASML宣布該公司已經達成了最重要且長期難以突破的里程碑：
250瓦(watt)的EUV光源。
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光源功率(source power)──也就是傳送到掃描機以實現晶圓曝光的EUV光
子(photon)數量之量測值──直接等同于生產力，芯片制造商一直以來都堅
持250瓦的光源功率是達成每小時125片晶圓(WPH)生產量的必要條件，而
且將ASML與光源技術供應商Cymer (已在2013年被ASML收購)未能實現該
光源功率目標，視為EUV微影在近年來發展不順的主要原因。
在Semicon West期間，ASML行銷策略總監Michael Lercel則表示，該公司
已經實現了250瓦光源，而且不但是：“透過真正了解光源的轉換效率達到了
一致性，也實現了正確的控制;”不過他補充指出，經證實的250瓦光源還沒
正式出貨。
包括英特爾(Intel)、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)與Globalfoundries
等頂尖芯片制造商，都打算在接下來兩年將EUV微影導入量產制程，ASML
在今年2月展示了104WPH的生產量，該公司高層并聲稱，甚至在250瓦光
源實現之前，該公司的微影設備可達到125WPH的產量。
與2012年約25瓦的光源相較，250瓦光源意味著十倍的進步;Lercel在簡報
EUV生產經濟學時笑言，當他在幾年前仍任職于Cymert時，達到250瓦光
源功率：“永遠都是明年的目標。”他表示，ASML目前在EUV領域有14
種開發工具，已曝光超過100萬片晶圓，光是過去一年就曝光了50萬片;
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ASML的NXE:3400B量產型EUV微影設備已在今年稍早首度出貨。
截至4月份，ASML積壓了21臺EUV系統等待出貨，據說其中有大部分是英特
爾的訂單;而ASML應該會在第二季財報發布時提供未出貨訂單的更新數字。
EUV技術可追溯至1970年代X光微影開發過程不順的那時候，而半導體產業原
本期望能在2010年就開始利用EUV微影量產，但該技術一再推遲;有人估計，
產業界對EUV技術的開發已經耗費了超過200億美元。
而盡管ASML有所進展，批評者仍會繼續對EUV抱持質疑態度;如長期觀察半導
體產業的市場研究機構VLSI Research總裁暨分析師G. Dan Hutcheson就表示：
“總有人一直說該技術不可能成功;確實花了很長的時間，但我們終究還是走到
了某個地方。”
除了宣布達成光源功率里程碑，Lercel也詳述了EUV工具疊對(overlay)性能
的大幅改善，以及產業界在布建EUV基礎建設方面的進展，包括光罩(reticle)、
光罩護膜(pellicle)以及光阻劑(photoresist);此外他的簡報主要聚焦于EUV能
為客戶帶來的“經濟價值”，考量到該類工具的成本──EUV微影設備一套要
價超過1億美元──聽起來是個吊詭的議題。
高成本是EUV微影技術最被詬病的特性之一，但ASML表示，EUV──在達到
125WPH的產量目標時──與采用傳統浸潤式微影工具進行三重或四重圖形
(patterning)的高昂成本相較，能帶來更高的經濟優勢。
Lercel表示：“如果你看采用多重浸潤式微影步驟的成本，加上搭配的制程步
驟──包括清潔以及度量──我們相信EUV的每層光罩成本還是低于三重圖形浸
潤式微影，而且絕對低于四重以上圖形的成本;”他并指出，EUV也能提供更
快速周期時間(cycle times)、變異性更少以及晶圓片出現隨機缺陷機率更低等經濟優勢。
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