PT4516是一款高精度線性LED驅動芯片，采用單段式架構，沒有EMI的問題。無電感以及變壓器，結構簡單，成本低。
PT4516采用專利的電流控制與補償技術，電流精度3%以內，可由外不電阻設定，峰值電流60MA；可多芯片并聯使用增加電 流輸出能力。過溫自動降低電流，過溫保護功能。

特點：

外圍電路簡單，無需磁性元件
雙通道線性恒流驅動
支持可控硅調光
內部集成高壓啟動電路
LED輸出電流可調，支持最大峰值電流60mA
支持多芯片并聯以增加電流輸出能力

應用：LED球泡燈，射燈，燈絲燈以及其他緊湊LED照明產品

任何國家都有權決定自身的發展策略，而中國決心發展半導體產業由來已久。中國每年進口芯片的金額達到千億美元數量級，自主生產只有近10%，想要改變這種不合理的現狀是一件天經地義的事情。因此，某些西方論點把矛頭指向中國半導體業，稱中國是“攪局者”是不公平的。

矛頭指向中國有失公允

日經中文網近期報道稱，世界的半導體市場此前一直以美韓日廠商唱主角，現在中國企業正試圖參與進來，指責中國企業的巨額投資很有可能成為半導體市場混亂的風險因素。

任何國家都有權決定自身的發展策略，而中國決心發展半導體產業由來已久。中國每年進口芯片的金額達到千億美元數量級，自主生產只有近10%，想要改變這種不合理的現狀是一件天經地義的事情。因此，無論日經中文網，或是某些西方論點，把矛頭指向中國半導體業，稱中國是“攪局者”都是不公平的。

客觀地說，近期中國發展半導體業采取的策略與之前有所不同，抓住了事關產業命脈的資金問題。“國家集成電路產業投資基金”(以下簡稱大基金)釆用入股企業的方法，并要求投資取得回報，與國際上通行的作法相一致，只是在規模上和時間點上讓國外同行感覺“來勢洶洶”而已。即便如此，大基金的投資規模與幾家全球領先公司如三星、臺積電等相比也是相形見絀的。

市場競爭與攪局者

只要是公平的市場競爭，“攪局者”可以改變行業現狀，推動市場競爭在新的態勢下達到新的平衡。這是產業進步的表現。

觀察全球半導體業的發展歷程可以發現，“攪局者”并不少見。如全球代工業中，三星異軍突起，就可被看作是“攪局者”。三星揚言今年的代工營收要超過居第二位的格羅方德，并要與代工老大臺積電比拼高下，顯見三星是想要改變全球代工的競爭格局。

在半導體設備業方面，ASML表示其EUV光刻機將很快步入實用化，在兩年內光源功率提升至產業要求的250瓦水平，目前已在全球安裝了14臺，客戶包括英特爾、三星、臺積電及格羅方德，未來尚有21臺等待發貨，其中英特爾是大客戶。

眾所周知，觀察全球半導體業的發展進程，先進工藝制程競賽一直是”熱點”，臺積電、三星、英特爾，甚至格羅方德都不甘落后。目前，采用浸液式光刻方法已可達7納米，將于2018年實現量產，但是這種工藝要使用三次或者四次圖形曝光工藝，大大增加了生產周期與成本。如果改用EUV光刻工藝，將有效地簡化產品設計，與三次或者四次圖形曝光工藝相比較，成本方面可能節省。因此EUV光刻工藝的導入，在全球半導體業發展中是一次質的飛躍，是延伸“摩爾定律”的有力武器。它有可能改變目前芯片制造商中前幾位的排名，并對未來半導體業的發展產生深遠影響。所以EUV光刻設備的導入也可看作是一個“攪局者”，而且是一個強有力的“攪局者”。

因此，對于“誰是攪局者”不能有“雙重標準”，應該一視同仁，從根本上它們可能都是推動半導體業持續進步的動力源。

中國加入存儲器行列

從半導體產業發展的歷史來看，凡是打“翻身仗”都是從存儲器入手，并已經成功實現過兩次：一次是日本半導體的發展，另一次是韓國半導體的成長。

如今，中國半導體想要崛起，發展存儲器是一條值得嘗試的路徑。當然，中國的目的與此前日韓并不完全相同，主要目的并不是想要超越韓國存儲器老大的位置。此次中國存儲器的發展，主要是為了自用，目的是提高芯片的國產化率。

據集邦咨詢(TrendForce)的數據，2016年全球存儲器銷售額超過800億美元，而中國市場消耗25%以上。中國半導體產業為了減少進口，增加國產化率，目前有三股力量，包括長江存儲、合肥睿力及福建晉華，分別聚焦不同的存儲器產品。就目前的進度來看，三家都處在建廠及技術與人才準備階段，離量產尚有一段距離，尚不能言及最終成功。

近20年來，全球半導體領域不乏退出存儲器業的廠商，如德國奇夢達倒閉，美光兼并日本的爾必達等，但鮮有新加入者。這反映出全球存儲器業的入門門檻高，競爭激烈。所以此次中國半導體業進軍存儲器引起國外同行的警覺也是合乎情理的，而中國半導體業自主發展存儲器的要求是合理的。

在全球存儲器業中，競爭變得更為激烈。一方面是DRAM繼續向1x納米進軍，從縮小尺寸角度來看，15納米可能是極限，三星肯定走在最前面，目前它擁有DRAM及NAND閃存產能各有40萬片(按12英寸晶圓計)。而另一方面，在2DNAND向3DNAND轉移中，三星、美光、東芝、西數、海力士等都揚言近期要開始64層3DNAND的量產出貨，并全力向96層3DNAND挺進。而中國的長江存儲是一個“新進者”，它僅是可能于2018年出貨32層3DNAND，與三星等的差距至少2代以上。

分析天時、地利與人和，中國似乎都具備了一定的條件，但是要實現存儲器芯片制造的突破必須十分清醒，僅擁有廣大的市場與足夠的投資可能還不一定能獲得最后的成功，還需要有專業人才的配合及詳盡的專利應對策略，并要有一股氣勢與勇氣，關鍵是能把制造成本降下來，同時還需要加強芯片生產線的嚴格管理。

到目前為止，對于中國存儲器業的突破，外界似乎并不看好。然而，在全球存儲產業進行大轉移的時刻，中國半導體業應勇于加入，力爭能得到公平競爭的機會。而且，現階段盡管中國半導體業有三股力量在集結，但是理性分析，在2020年之前這些芯片生產線仍處在產能爬坡階段，銷售額都不會太高。

全球存儲器業總是周期性起伏的，只有堅持到底，不懼怕暫時的虧損，才有可能成功。分析機構Gartner按以往的經驗進行了預測，認為2019年時存儲器業可能進入下降周期。顯然中國的存儲器業不可能趕上2019年之前的榮景了，只能把希望寄托于在下一波存儲器的上升周期中，能有令人滿意的表現。

中國半導體業在存儲器中突破，首先是為了滿足自用需求，與先進廠商之間尚有很大差距，目前也不具備挑戰臺積電、三星及英特爾等巨頭的實力。由于中國的加入，全球存儲器業中后幾位的排名可能會發生改變。

同時要強調的是，中國半導體業必須十分淸醒，一定要穩步前進，尊重知識產權，與全球存儲器業者開展公平的競爭成為受同行尊敬的“攪局者”。

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