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DRV601RTJR

發布時間:2018/2/3 21:59:00 訪問次數:367 發布企業:瀚佳科技(深圳)有限公司

DRV601RTJR資料

制造商: Texas Instruments
產品種類: 音頻放大器
系列: DRV601
產品: Audio Line Drivers / Receivers
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WQFN-20
最大工作溫度: + 85 C
最小工作溫度: - 40 C
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: Texas Instruments
濕度敏感性: Yes
工作電源電流: 8 mA
工作電源電壓: 1.8 V to 4.5 V
PSRR - 電源抑制比: 88 dB
工廠包裝數量: 3000
Vos - 輸入偏置電壓 : 8000 uV
單位重量: 38.100 mg


瀚佳科技(深圳)有限公司 主營: ST ATM TI AOS MAX ON NXP AVAGO SAMSUNG等 世界 品牌 IC,

電阻 ,電容, 晶振, 二三極管, 電位器,繼電器 專業配套商!歡迎新老客戶下單詢價

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AOS/萬代:

AO3401 AO3400 AO3402 AO3403 AO3404

AO3406 AO3407 AO3409 AO3414 AO3415

AO4403 AO4405 AO4406 AO4407 AO4409

AO4411 AO4419 AO4423 AO4430 AO4447

AO4455 AOD407 AOD418 AOD444 AOD476

AOD482 AOB409L AOB440 AOT240L AOT404

AOT440 AOTF10N60 AOTF12N60 AOTF20N60 AOTF16N50

FAIRCHILD/仙童:

FQB19N20 FDB2552 FDB5800 FDB2532 FQB4N80

FQB33N10 FQB44N10 FDB3632 FDB8870 FQB34P10

FDD6670 FDD2670 FDD2582 FQD8P10 FQD3P50

FQD2N50 FQD1N60C FDD3N40 FDD3860 FQP17P10

FQP13N50 FDP8870 FQP55N10 FDP3682 FQP27N25

FQP70N10 FQP50N06 FQP65N06 FDP047N08 FQP60N06

FDPF16N50 FQPF4N90C FQPF85N06 FQPF5N80 FQPF4N60C

IR/整流器:

IRF1404S IRF1407S IRFS3307 IRFS3607 IRF2804S

IRF4905S IRF1104S IRL1104S IRF540NS IRF640NS

IRFR110 IRFR9110 IRFR210 IRFR220 IRFR230

IRFR5305 IRLR2905 IRFR3708 IRFR4120 IRLR8113

IRF1404PBF IRF640NPBF IRF1404PBF IRFZ44N IRFB4110PBF

IRL3303 IRF840PBF IRFIZ44N IRLI2505 IRFIB6N60

IRFIBC30G IRFIBC30G IRFIZ48G IRFI830G IRFI1010N

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ST/意法:

STGB7NB60HD STGB6NC60HD L7805CD2T L7808CD2T L7806CD2T

L7812CD2T STB120N4F6 STB150NF04 STB170NF04 STB270N4F3

STB120NF10 LD1117DT33TR LD1117DTTR L78M05ACDT-TR L78M06ACDT-TR

L78M10 L78M18 L78M20 LD1117DT28TR STD12N06

STP10NM65N STP21N65M5 STP35N65M5 STP5N62K3 STF26NM60N

STF34NM60N STF4N52K3 STF6NK70Z STP14NK60Z STP3NK60ZFP

STP3N150 STP20NM50 STP40NF20 STP8NK100Z STP80N20M5

Winbond/華邦:

W25Q128FVFIG W25Q128FVEIG W25Q32BVSSIG W25Q16BVSSIG W25Q32FVSSIQ

W25Q80DVSSIG W25Q256FVEIG W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ

W971GG6KB-25 W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ W971GG6KB-25

W25X10BVSNIG W25X10CLSNIG W25X20BVSNIG W25X20CLSNIG W25X40BVSNIG

W25X40CLSNIG W25Q80BVSSIG W25Q16DVSSIG W25Q32FVSSIG W25Q64BVSFIG

W25Q64FVSSIG W25Q128FVSSIG W25Q128BVFIG W25Q256FVFIG W25Q256FVEIM

MAXIM/美信:

MAX6350AESA MAX6350CSA MAX2235EUP MAX6350ESA MAX6325ESA

MAX6325ACSA MAX6325CSA MAX6225ACSA MAX6225BESA MAX6225ESA

MAX3430CSA MAX774ESA MAX9140EUK MAX1836EUT33 MAX4427ESA

MAX4427CSA MG3500A3-376B MAX797CSE MAX1993ETG MAX6250ESA

MAX6250CSA MAX487CSA MAX3223CAP MAX690EPA MAX481ECPA

MAX223EAI MAX815TCSA MAX4544CSA MAX706SCSA MAX709SCSA

MAX9947ETE MAX696CWE MAX1771CSA MAX489ECSD MAX6338CUB

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DRV601RTJR富士通推出業界最高密度4 Mbit ReRAM量產產品

富士通電子元器件(上海)有限公司日前宣布,推出業界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1)產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體(注2)合作開發的首款ReRAM存儲器產品。

ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器,此產品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身,同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術,未來預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃存的1/20,數據擦寫上限是后者的10倍。

此全新產品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽器等醫療設備,例如助聽器等需要高密度且低功耗的電子設備上有絕佳的表現。


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富士通通過提供具有耐讀寫及低功耗特性的FRAM(鐵電隨機存儲器),以滿足客戶對遠高于EEPROM以及串列式Flash等傳統非易失性存儲器的效能需求。在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產品線后,富士通可進一步擴充產品系列,以滿足客戶多樣化的需求。

MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛范圍內工作,還能通過SPI接口支持最高5 MHz的工作頻率,并在讀取時僅需極低的工作電流(5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA)。此外,該產品擁有業界非易失性內存最低的讀取功耗。

此全新產品采用209mil 8-pin的SOP(small outline package),引腳與EEPROM等非易失性內存產品兼容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入4 Mbit的ReRAM,超越了串行接口EEPROM的最高密度。

富士通預期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運用在電池供電的穿戴式設備、助聽器等醫療設備,以及量表與傳感器等物聯網設備。

富士通預期未來持續提供各種產品與解決方案,以協助客戶提升其應用的價值與便利性。


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產品規格

組件料號:MB85AS4MT

內存密度(組態):4 Mbit(512K字符x 8位)

界面:SPI(Serial peripheral interface)

工作電壓:1.65 – 3.6V

低功耗:讀入工作電流0.2mA(于5MHz)

寫入工作電流1.3mA(寫入周期間)

待機電流10μA

休眠電流2μA

保證寫入周期:120萬次

保證讀取周期:無限

寫入周期(256 位/頁):16毫秒(100%數據倒置)

數據保留:10年(最高攝氏85度)

封裝:209mil 8-pin SOP

詞匯與備注

1. 可變電阻式內存(ReRAM):

為非易失性內存,藉由電壓脈沖于金屬氧化物薄膜,產生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其制程化繁為簡,由兩電極間簡易金屬氧化物架構組成,使其同時擁有低功耗和高寫入速度的優點。松下半導體于2013年即開始量產配備ReRAM的微型計算機。

2. 松下電器半導體:

〒617-8520 日本京都府長岡京市神足焼町1番地。

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