STMicroelectronicsPWD13F60 是完整的 600 V、8 A 集成式功率 MOSFET 全橋，采用 13 mm x 10 mm 封裝，帶嵌入式的柵極驅動器。該器件可為工業電機驅動器、燈具鎮流器、電源、轉換器和逆變器節省物料清單成本和板空間。
憑借比分立元件構建的同類電路體積小 60% 的封裝，PWD13F60 提升了最終應用的功率密度。它集成了四個功率 MOSFET，能為 DC 電機提供獨特的高效解決方案；是市場上通常為雙 FET 半橋或六 FET 三相設備的其他模塊的真正替代方案。與這些選擇不同的是，只需一個 PWD13F60 即可實現全橋拓撲結構，而不使用內部 MOSFET。
特性在設計和系統組裝過程中節省 PCB 空間和 BOM 成本 600 V 全橋系統級封裝，具有 2 個柵極驅動器和 4 功率 MOSFET 嵌入到柵極驅動器的自舉二極管 高熱效 QFN 封裝 緊湊的 QFN (13 mm x 10 mm)，裸焊盤 適用于寬范圍的工業應用 8 A 和 320 mΩ 嵌入式功率 MOSFET 輕松連接微控制器、DSP 單元或霍爾效應傳感器 3.3 V 和 15 V 兼容輸入 最大的保護 集成的跨導和欠壓鎖定保護
應用
用于工業和家用電器的電機驅動器 工廠自動化 風扇和泵 HID、鎮流器 電源單元 DC-AC 和 DC-DC 轉換器
