PT4119E采用 SOT89-5 封裝和 ESOP8 封裝。
PT4119E是一款連續電感電流導通模式的降壓恒流源，用于驅動一顆或多顆串聯LED。

PT4119E輸入電壓范圍從6伏到30伏，輸出電流可調，最大可達0.8安培。根據不同的輸入電壓和外部器件，PT4119可以驅動高達數十瓦的LED.

PT4119E內置功率開關，采用高端電流采樣設置LED平均電流，并通過DIM引腳可以接受模擬調光和很寬范圍的PWM調光。當DIM的電壓低于0.3伏時，功率開關關斷，PT4119進入極低工作電流的待機狀態。

PT4119E 采用 SOT89-5 封裝和 ESOP8 封裝。
特點；

極少的外部元器件、很寬的輸入電壓范圍：從6V到30V最大輸出0.8A的電流復用DIM引腳進行LED開關、模擬調光和PWM調光3%的輸出電流精度? LED開路自然保護、高達97%的效率、輸出可調的恒流控制方法、增強散熱能力的ESOP8封裝可用于大功率驅動。

應用領域；

低壓LED射燈代替鹵素燈、車載LED燈、LED備用燈、LED信號燈。

在1990年代初，日本經歷了泡沫經濟崩潰，進入“失去的20年”。2000年以后，日本GDP增長停滯，日本電子產業總體出現衰退。2013年日本電子產業的產值是11萬億日元，不到峰值時(26萬億日元)的一半。

“1980年代末，日本經濟達到了全球第二，美國以廣場協議和日美半導體協定來施壓，這大幅打壓了日本企業的獲利能力。而韓國趁勢舉國家之力來發展半導體行業，不久后日本經濟泡沫破裂，補貼難以維系。”顯示及半導體行業咨詢機構CINNO副總經理楊文得對21世紀經濟報道記者表示，半導體行業發展和一國的宏觀經濟情況息息相關，因為這是資金超級密集的產業，需要持續的、大規模資金投入才會成功。當一國經濟整體不景氣時，就難以大力支持其發展。

在日本通產省的主導下，1999年，日立和NEC的DRAM部門整合成立了爾必達(Elpida)，三菱電機隨后也參與進來，而其他日本半導體制造商均從通用DRAM領域中退出，將資源集中到具有高附加值的系統集成晶片等領域。Elpida是希臘語“希望”的意思，這個公司名體現了日本半導體產業對這最后的DRAM制造商所寄予的厚望。

無奈，“外面的世界”瞬息萬變。2008年金融危機后，全球需求驟降，DRAM供應嚴重過剩，2GB的DRAM在2008年的價格為20美元以上，而2012年則跌至1美元以下。全球DRAM生產商都陷入嚴重赤字，爾必達也不例外。日本政府在2009年伸出援手，注資并為其擔保獲得日本政策投資銀行融資。

由此，日本開始以“舉國之力”來進行自主研發。一個官產學研發項目徹底改變了日本半導體產業的地位。這個項目就是日本通商產業省(經濟產業省前身)發起成立的VLSI共同研究所(超LSI技術研究組合)，“打造未來計算機必不可少的大規模集成電路”這一口號也顯示了日本的巨大野心。日本通產省將市場中的各大競爭對手(富士通、日立、三菱電機、東芝和NEC)的研發人員集結起來，總計投入700億日元，政府出資290億日元(幾乎相當于當時通產省補貼支出的一半)。

上述項目在4年到期后，取得專利1000多項。VLSI共同研究所所長、有日本半導體之父之稱的垂井康夫設定的方針或許總結了成功的秘訣：競爭者們能否互相協作是一個大問題，那么我們就以”基礎的、共通的”為方針，從各家公司的共同點出發，來研發、制定未來的大規模集成電路技術。

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