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在7nm EUV工藝上成功完成流片，證明了新工藝新技術的可靠和成熟，為后續量產打下了堅實基礎。相比臺積電第一代7nm深紫外光刻(DUV)技術，臺積電宣稱可將晶體管密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。而7nm之后，臺積電下一站將是5nm(CLN5FF/N5)，將在多達14個層上應用EUV，號稱其可比初代7nm工藝的晶體管密度提升80%，芯片面積縮小45%，頻率提升15%，功耗降低20%。
牽引電機控制器將直流電池電壓轉換成多相交流電，從而以駕駛員要求的速度和加速度驅動電動和混合動力車輛的牽引電機。為了監控電機狀態，檢測驅動電流，以及可靠地計算并應用所需的扭矩能量，需要復雜的系統控制。
恩智浦與VEPCO Technologies, Inc.合作設計了一個支持ASIL-D的高壓電源控制參考平臺和電機控制變頻器原型。在原型設計中，該平臺控制一個集成電流和溫度檢測的Fuji Electric 800V硅IGBT功率模塊，以驅動100 kW三相電機。
恩智浦計劃利用其系統控制部件、支持軟件實現功能安全方案來幫助客戶開發基于參考設計平臺的電機控制器，而VEPCO Technologies將為該平臺上的特定應用和性能開發提供合約系統工程服務。
VEPCO系統工程總監張博士表示：“VEPCO Technologies的深厚電機驅動知識和系統經驗與恩智浦全面的汽車產品組合、功能安全產品和工具相結合，為我們的客戶提供一個引人注目的動力電機控制器支持平臺。我們在動力電機控制器模塊平臺之上提供的專業工程服務，例如定制應用IP等，將推動該平臺滿足客戶獨特的安全和技術要求，并顯著縮短產品上市時間，降低開發成本。”
而三星也宣布開始進行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產工作。三星的7nm LPP采用ASML的EUV光刻機，型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W)，日產能1500片。在技術指標上，對比10nm FinFET，三星7nm LPP可實現面積能效提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。目前已知，高通新一代的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝。
這些代工巨頭們在先進制程持續競賽，意味著EUV工藝就要正式產業化，這為打拼20多年的ASML帶來了全新的曙光，迎來了開掛態勢。
而在ASML公司Q3的光刻機銷售中，韓國公司占比33%，我國臺灣公司占比30%，大陸公司占比18%，前一個季度中大陸公司占比是19%，不過Q3季度中臺灣公司占比從18%增長到了30%，韓國公司占比從35%降至33%。
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