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臺積電5nm技術即將到來，讓對手望塵莫及！ 現如今，晶圓代工行業可分為兩檔，臺積電一檔，其他公司一檔。在臺積電積極發展采用EUV 技術的第2代7納米制程后，傳聞5納米制程將于2019年4月試產。臺積電憑借技術與龐大資本支出所鑄成的“氮氣加速系統”，讓其競爭對手望塵莫及。

今年上半年，純代工領域的訂單量上，臺積電占了全球56%。隨著AMD、蘋果A13的青睞，臺積電有望將優勢擴大到60%。而對手三星、GF、聯電、中芯國際都不到10%。臺積電2018年的收入也大幅攀升，遠超去年的1萬億新臺幣。

臺積電最早是從2微米、3微米開始做，如今在10nm之后，最新7nm工藝也已量產出貨，蘋果新推出的A12仿生處理器就是由臺積電獨家代工制造。與之前的10nm FinFET制程相比，7nm FinFET實現1.6倍的邏輯密度，20%的速度提升，以及40%的功耗減少。在7nm技術路線的選擇上，臺積電務實地在第一代放棄EUV(極紫外光刻)，同時上馬整合扇出封裝技術提升可靠度，最終使得自己的進度事實超越三星，從而贏下包括華為、AMD、蘋果等一眾關鍵客戶。

半導體先進制程進到10納米之下，微縮技術更加復雜，牽扯設計已經不止電路線設計，還有光刻、晶體管架構與材料等等，也讓EUV極紫外光光刻成為關鍵技術。過去半導體生產使用波長193納米的深紫外(DUV)曝光，但制程發展到 130 納米時便有行業人士提出，需用極紫外(EUV)光刻。

EUV成為7納米的關鍵技術，也是臺積電、三星兩大廠商技術競逐的節點。材料供應商分析指出，導入EUV制程可以減少30個掩膜，至少能省下一個月的制程時間，進一步探討EUV的技術脈絡，為了要制造出EUV的波長電漿，必須將錫融化之后，用每秒約5萬顆頻率滴在真空腔體中，然后用激光以每秒10萬次發射頻率將液態錫蒸發成電漿，以產生EUV所需要的波長，因此激光所需要的功率以及轟擊錫珠精準度，就成為EUV制程技術的“bottleneck”。

在第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺積電將首次應用EUV，不過僅限四個非關鍵層，以降低風險、加速投產，也借此熟練掌握ASML的新式光刻機Twinscan NXE。相較于第一代7nm DUV，第二代7nm EUV具體改進程度公布得并不多，臺積電只說能將晶體管密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。

面對咄咄逼人的臺積電，三星也在全力以赴，正在開發自己的InFO封裝技術，并宣稱將在下半年量產7nm EUV。不過，在良品率和質量上，三星7nm EUV工藝仍存在風險。如今，臺積電在7nm EUV工藝上成功完成流片，證明了新工藝新技術的可靠和成熟，為后續量產打下了堅實基礎，同時也進一步拉開了與競爭對手三星之間的差距。

全程EUV!5nm將于明年四月風險試產

根據《EETimes》報導指出，就在臺積電積極發展的第2代采用EUV技術的7納米制程開始進行投片同時，更新一代全程采用EUV 技術的5 納米制程也將于2019 年的第2季進行風險試產。而且，臺積電也已經與包括Cadence在內的4 家合作伙伴達成協議，共同支持后段芯片設計的線上服務工作，以借由云端的服務的機制，縮短芯片設計時間，并且進一步擴大芯片設計工具的范圍。

相較于第二代使用EUV技術的7納米制程可以處理4片掩膜來說，臺積電的5納米制程將可一次處理14片掩膜，降低生產掩膜的成本。另外，臺積電還以Arm A72核心進行生產測試，5納米制程所生產的芯片，將達到14.7%~17.7%的速度提升，以及減少1.8% ~1.86%的芯片面積。號稱可比初代7nm工藝晶體管密度提升80%，從而將芯片面積縮小45%，還可以同功耗頻率提升15%，同頻功耗降低20%。

臺積電指出，雖然制程技術節點的提升，能為芯片中增加更多的晶體管，但是卻也帶來生產成本的大幅提升。其中，5納米制程中包括人工與知識產權的授權費用，其加起來的總合成本將高達2到2.5億美元，比7納米制程的1.5億美元大幅成長，而這也會是未來發展半導體制程，門檻越來越高的原因。

在聯電與格芯相繼擱置7納米及其以下先進制程的研發之后，目前在先進制程研發的路上僅剩下臺積電、三星、英特爾等少數公司。只是，英特爾在10 納米制程節點上遭遇瓶頸，預計要到2019年底才會推出的情況下，在先進制程的這條路上，也只有三星能看見臺積電的尾燈了。

至此，臺積電在晶圓代工行業的老大哥地位坐實，而唯一有競爭力的三星想要超車也難乎其難。

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