HMC637是一種砷化鎵(GaAs)共源共柵分布式功率放大器。該器件是單片微波集成電路(MMIC),包含假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)。該功率放大器在正常工作時具有自偏置功能,并具有可選偏置控制,用于靜態電流(IDQ)調整和二階截取(IP2)和三階截取(IP3)優化。該放大器工作在直流至7.5 GHz,提供15.5 dB的小信號增益,1 dB增益壓縮時28 dBm輸出功率,39 dBm的典型輸出IP3和3.5 dB噪聲系數,同時12 V需要345 mA電源電壓(VDD)。從直流到7.5 GHz,典型值為±0.5 dB,增益平坦度非常出色,使HMC637成為航空,工業和測試設備應用的理想選擇。
特征 P1dB輸出功率:典型值為28 dBm 增益:典型值為15.5 dB 輸出IP3:典型值為39 dBm 自偏置,VDD= 12 V,典型值為345 mA VGG1上的可選偏置控制,用于IDQ調節 VGG2的可選偏置控制,用于IP2和IP3優化 50Ω匹配輸入/輸出 32引腳,5 mm×5 mm LFCSP封裝:25mm2相關新聞
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