安森美半導體NxHL080N120SC1 N溝道SiC MOSFET是1200V，80mΩMOSFET，具有出色的開關性能和高可靠性。這些MOSFET具有低導通電阻，并具有緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。NxHL080N120SC1 MOSFET具有高效率，快速工作頻率，高速開關，更高的功率密度，更低的EMI和更小的系統尺寸。這些MOSFET采用TO247-3L封裝。根據AEC-Q101認證，NVHL080N120SC1 MOSFET符合汽車級要求。
特征 在TJ= 150°C時為1200V VDSS 80mΩ漏極 - 源極導通電阻（RDS（on））（典型值） 20A連續漏極電流（ID）（最大值） 低電容高速開關 100％UIL測試 工作結溫范圍： -55°C至150°C（對于NTHL080N120SC1） -55°C至175°C（對于NVHL080N120SC1） 無鉛且符合RoHS標準 應用 NVHL080N120SC1： 汽車輔助電機驅動 汽車車載充電器 用于電動汽車（EV）/混合動力電動汽車（HEV）的汽車DC / DC轉換器 NTHL080N120SC1： 工業電機驅動 UPS 升壓逆變器 Photo-Voltaic（PV）充電器NxHL080N120SC1性能圖
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