公司：深圳市創寶來科技有限公司
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STM32F051K6U6 系ST的ARM微控制器-MCU，參數詳情：
核心：ARM Cortex M0，
數據總線寬度：32 bit，
最大時鐘頻率：48 MHz，
程序儲存器大小：32 KB，
數據ADC大小：8 KB，
卡上ADC：Yes，
工作電源電壓：2~3.6 V，
工作溫度：-40~85 C，
封裝：QFN-48，
標準包裝數量：490
三星電子宣布已開發出了第三代10nm級（1z-nm）的8GB DDR4 DRAM芯片，在業界內首次達到了這個成績。此時距離三星大規模生產第二代10nm級（1y-nm）8GB DDR4 DRAM芯片僅僅過去了16個月，可見三星在芯片研發上的效率。
當前的內存芯片規格除了PC上主流的DDR4之外，還有DDR5、LPDDR5和GDDR6等等。三星認為在DDR4上成功使用的1z-nm工藝，為拓展到其他規格上打下了基礎，今后我們有望在更多的內存產品上見到1z-nm工藝的應用。
