Cypress Semiconductor F-RAM Excelon-LP系列是采用先進鐵電工藝的低功耗、4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 是非易失性存儲器，可執行類似于RAM的讀寫操作。F-RAM的可靠數據保留期為151年。該器件可以消除串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器會出現的復雜性高、開銷大和系統級可靠性不足問題。
FEATURES
4Mbit鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)，邏輯組織方式為512K x 8提供了一百萬億次 (1014) 的讀/寫周期，幾乎為無限次數的耐久性 151年的數據保留期（參見第20頁的數據保留和耐用性） NoDelay™寫入 先進的高可靠性鐵電工藝 快速串行外設接口 (SPI)
高達50MHz頻率 支持SPI模式0 (0, 0) 和模式3 (1, 1) 復雜的寫入保護方案
使用寫保護 (WP) 引腳進行硬件保護 使用寫禁用 (WRDI) 指令進行軟件保護 用于1/4、1/2或整個陣列的軟件塊保護 設備ID和序列號
設備ID包含制造商ID和產品ID 唯一ID 序列號 專用256字節特殊扇區F-RAM
專用特殊扇區寫入和讀取操作 存儲的內容可以在最多3個標準回流焊周期內保持不變 低功耗
頻率為40MHz時，有效電流為2.4mA（典型值） 待機電流：2.3μA（典型值） 0.70μA（典型值） 深度掉電模式電流為0.70μA（典型值） 0.1μA（典型值） 休眠模式電流為0.1μA（典型值） 低電壓工作
CY15V104QN：VDD= 1.71V至1.89V CY15B104QN：VDD= 1.8V至3.6V 商業級和工業級工作溫度
商業級工作溫度：0°C至+70°C 工業級工作溫度：-40°C至+85°C 封裝
8引腳小外形集成電路 (SOIC) 封裝 8引腳柵格陣列四方扁平無引線 (GQFN) 封裝 符合有害物質限制 (RoHS) 指令 框圖
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