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制造商 Murata Electronics North America
系列 DLP11
包裝 ? 剪切帶（CT） ?
零件狀態 在售
濾波器類型 信號線
線路數 2
不同頻率時的阻抗 90 Ohms @ 100MHz
額定電流（最大） 150mA
直流電阻（DCR）（最大） 1.88 歐姆
額定電壓 - DC 5V
額定電壓 - AC -
工作溫度 -40°C ~ 85°C
等級 -
認可 -
特性 -
安裝類型 表面貼裝
大小/尺寸 0.049" 長 x 0.039" 寬（1.25mm x 1.00mm）
高度（最大值） 0.036"（0.92mm）
封裝/外殼 0504（1210 公制），4 引線
國內IGBT龍頭企業斯達半導體沖刺IPO：籌集8.2億美元 網絡整理·2018-10-17電子元器件型號大全
近年來，在國際節能環保大勢下，新能源汽車，逆變器家用電器，新能源發電等產業發展迅速，工業控制和供電行業市場逐步復蘇。
近年來，在國際節能環保大勢下，新能源汽車，逆變器家用電器，新能源發電等產業發展迅速，工業控制和供電行業市場逐步復蘇。 IGBT模塊是逆變器，工業控制，電源行業和新能源汽車的核心部件。下游市場的繁榮逐漸擴大了對IGBT模塊的需求，并且IGBT市場經歷了快速增長。
據市場研究公司Yole稱，到2018年，全球IGBT市場將達到60億美元，并將在未來幾年繼續保持穩定增長。
由于IGBT行業存在技術門檻高，人才匱乏，市場發展困難，資金投入大等困難，國內企業在工業化進程中進展緩慢。
隨著全球制造業向中國轉移，中國逐漸成為全球在最大的IGBT市場中，對IGBT本地化的需求是當務之急。
受市場需求的吸引，一批具有IGBT相關經驗的海外華人回歸IGBT行業，大量資金流入IGBT行業。中國的IGBT產業化水平有所提升，Star Semiconductor，Yangjie Technology和華為一些電子和Silan Micro等公司已經實現了批量生產。
最近，中國證監會新近接受了五家IPO公司。
其中，嘉興星半導體有限公司（以下簡稱“星光半導體”）是唯一的半導體公司。根據招股說明書，Star Semiconductor計劃在上海證券交易所上市。已發行股份數量不得超過4000萬股，發行后總股本不得超過1.6億股，保薦機構為中信證券。
全球IGBT市場份額約為2.5％，中國排名第一
根據數據，Star Semiconductor的主要業務是設計，開發和生產基于IGBT的功率半導體芯片和模塊，并以IGBT模塊的形式銷售。 IGBT模塊的核心是IGBT芯片和快速恢復二極管芯片。由Star Semiconductor獨立開發的IGBT芯片和快速恢復二極管芯片是該公司的核心競爭力。
根據IHS Markit 2017年報告數據，2016年，Star股份占全球IGBT市場份額的2.5％，在國際排名中排名第9，在中國排名第一，成為全球前10名中國公司中唯一。
作為國內IGBT行業的領先企業，Star Semiconductor自主研發了第二代芯片（國際第六代芯片FS-Trench），成功打破了外國跨國公司在IGBT芯片上的壟斷地位。
計劃籌集8.2億元，實際控制人為美國國籍
報告期內，Stara的產能利用率呈逐步上升趨勢，2018年上半年接近飽和。
近年來隨著IGBT市場的不斷升溫，公司有望保持較高的生產水平。銷售。
根據招股說明書，星光半導體計劃通過此次IPO募集資金8.2億元，其中2億元用于補充流動資金，其余將投資于IGBT模塊擴建項目和新能源汽車IPM模塊項目（年度）產量700萬）），技術研發中心擴建項目。
星光半導體表示，根據公司的發展戰略，募集資金的使用將圍繞主營業務進行，以提升公司在IGBT領域的競爭優勢和市場地位，豐富和完善公司的產品結構，提高產能并改進技術。并且新產品的研發能力可以滿足客戶對產品的需求。該項目的實施將進一步提升公司的盈利能力和市場競爭地位，確保公司持續穩定發展。
在股權結構方面，神華和虎尾夫婦通過Star Holdings和星光半導體的實際控制人香港之星間接持有Star Semiconductor 59.39％的股份。
據披露，沈華為斯達控股的董事長，1963年出生，美國國籍，高級工程師，于1995年獲得美國麻省理工學院材料學博士學位。1982年7月至1983年8月任杭州汽車發動機廠助理工程師，1986年7月至1990年6月任北京科技大學講師，1995年7月至1999年7月任西門子半導體部門（英飛凌前身，1999年成為英飛凌公司）高級研發工程師，1999年8月至2006年2月任XILINX公司高級項目經理，公司設立以來一直擔任公司董事長和總經理。目前兼任香港斯達董事、斯達控股董事和斯達歐洲董事長。
胡畏女士，董事，1964年出生，美國國籍，于1994年獲美國斯坦福大學工程經濟系統碩士學位。1987年至1990年任北京市計算中心助理研究員，1994年至1995年任美國漢密爾頓證券商業分析師，1995年至2001年任美國ProvidianFinancial公司市場總監、執行高級副總裁助理、公司戰略策劃部經理。2005年回國創辦公司，現任公司董事兼副總經理。胡畏女士目前兼任香港斯達董事、斯達控股董事、斯達歐洲董事。
產品結構單一，原材料占總成本70%
自2005年成立以來，斯達半導體一直致力于IGBT芯片和快恢復二極管芯片的設計和工藝及IGBT模塊的設計、制造和測試，型號齊全，廣泛應用于工業控制及自動化、新能源汽車、新能源發電、電機節能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子等眾多領域。
據招股書披露，2015-2018上半年，斯達半導體實現營業收入2.53億元、3.06億元、4.49億元以及3.28億元，同期凈利潤分別為1186.98萬元、1948.13萬元、5112.30萬元和4638.47萬元，同期公司綜合毛利率分別為28.83%，28.74%，30.67%，31.28%。
報告期內，斯達半導體的IGBT模塊的銷售收入占公司銷售收入總額的95%上，存在產品結構單一的風險。盡管IGBT模塊較為廣泛的應用且該產品長期來看有拓展應用市場的良好前景，如果在短期內出現各應用領域需求 下降、市場拓展減緩等情況，將會對斯達半導體的營業收入和盈利能力帶來重大不利影響。
斯達半導體的原材料主要包括IGBT芯片、快恢復二極管芯片等其他半導體芯片、DBC板、散熱基板、其他材料等。在各種原材料中，芯片作為IGBT模塊的核心元器件，大致占總成本的70%左右。
斯達半導體的前五大供應商為華虹宏力、Infineon、Si-Chip、IXYS以及嘉善高磊金屬制品。在2015至2018年1-6月期間，斯達半導體原材料成本占營業成本的比例分別為88.41%，85.25%，88.42%，89.28%。
值得提及的是，這次是斯達半導體第二次沖擊IPO，早在2012年斯達半導體就向證監會提交公開發行并上市的申請材料，可惜2013年就宣布終止審查。如今，隨著IGBT模塊的廣泛應用，市場普遍看好產品前景，國內不少企業也開始介入IGBT領域，斯達半導體值此節點再次沖擊IPO，一旦成功借助資本的力量，將有望推動其在IGBT領域再上新臺階。
