產品描述：FDC86244

FDC86244:150VN溝道PowerTrench®MOSFET

這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導體的高級PowerTrench®工藝生產，該工藝專為實現rDS(on)、開關性能以及堅固性而優化。

產品特性：FDC86244

VGS=10V且ID=2.3A時，最大rDS(on)=144mΩ

VGS=6V，ID=1.9A時，最大rDS(on)=188mO

高性能溝道技術可實現極低的RDS(on)

廣泛使用的表面貼裝封裝中的高功率和高電流處理能力。

快速開關速度

100%經過UIL測試

符合RoHS標準

應用：FDC86244

配電

FDC86244

制造商 ONSemiconductor
制造商零件編號 FDC86244
描述 MOSFETN-CH150V2.3A6SSOT
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 19周
詳細描述 表面貼裝-N-溝道-pval-2068-2.3A（Ta）-1.6W（Ta）-SuperSOT™-6

一般信息

數據列表 FDC86244;

標準包裝FDC86244TR-ND;part_id=2804164;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_product//uploadfile/error!" /> 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 PowerTrench®

規格

FET類型 N溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 150V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 2.3A（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 6V，10V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 144毫歐@2.3A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 4V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 6nC@10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 345pF@75V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SuperSOT™-6
封裝/外殼 SOT-23-6細型，TSOT-23-6