公司：深圳市創寶來科技有限公司

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標準包裝：1,000
類別：集成電路 (IC)
家庭：存儲器
系列：-
包裝：散裝
格式 - 存儲器：RAM
存儲器類型：DDR2 SDRAM
存儲容量：512M （32M x 16）
速度：2.5ns
接口：并聯
電壓 - 電源：1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度：0°C ~ 85°C
封裝/外殼：84-TFBGA
供應商器件封裝：84-FBGA （8x12.5）

中國研成尖端芯片，成功打破美韓技術壟斷！耐用性提高1萬倍

生活在21世紀的我們，都會感覺科技改變了我們的生活，從之前的人工到現在的機械，所有的工廠也都現代化了。而且世界各國都在競爭尖端技術領域，就比如一個小小的芯片，它就非常有很強大的功能，通常說的芯片就是集成電路，在我們平時用的手機、電腦或者是其他電子產品上都會有芯片的身影，只要你使用到電子產品都離不開芯片的。

很多的芯片都來被外國的一些著名公司所壟斷，其中多項尖端技術更是被美國和韓國長期壟斷，所以我們中國在過去幾年只能大量進口外國的先進芯片來滿足我們國內的需求。根據數據顯示，我們中國進口外國芯片的費用一年都有好幾千億美元，甚至這些費用超過了進口石油的費用。

但是現在，經過多年的努力研究，中國終于在芯片領域打破了美國和韓國芯片領域的封鎖，成功的掌握了變相內存技術。我國大量進口芯片的現狀也已經過去，我們中國可以自己研發芯片，不用再去買一些進口芯片。

根據資料顯示中國成功研發的芯片是55納米變相存儲，這種技術的研發成功是中國集成電路領域的一個重大突破，我國也成為美國和韓國之后世界上第3個國家能夠擁有變相存儲技術的國家，也擁有了屬于自己的知識產權，我國研究出芯片的消息在國際上也引起了很大的轟動。

在集成電路上的專家都說，所謂的變相存儲就是國際上公認的第4代存儲技術，一旦研制成功，實現量產的話，那么這種芯片的執行速度會比之前的快1000倍，耐用性也會提高1萬倍，也就是說能夠支撐長達30年全新存儲的技術。

這款新型的芯片誕生對中國來說意義重大，說明我國也突破了外國對這種技術長期的壟斷，也是十分的令人激動。而且中國這款新型芯片也有了核心的技術，已經通過了60多項專利，目前還有140多項專利正在等待審核得通過。

之前研發這種技術的團隊還曾經向外界描述過這種技術的原理，原來這種存儲技術是通過存儲原材料在晶體和非晶體下形成導電性的差異。這樣就可以完成數據的存儲工作，和過去的那些老技術相比，最大的優勢不僅僅是這種新型芯片運行速度變快了，而且這種變相存儲技術制造出來的存儲器，在體積方面也是大大的縮小。

就舉一個例子來說，就是將原來一個大操場一樣的存儲器，現在將它轉換成一個小房子里面。無論是在它的耐用性還是方便攜帶性都與以前的大不相同，現在的體積小而且耐用，可以說所有的電子產品都必備的一個芯片，如果我們把這項芯片放在我們的手機或者是電腦上，那么又可以將手機或者電腦的質量大大的的降低，而且運行速度提高，這樣也符合我國5G的發展潮流，在未來現代化科技的世界，中國將越走越遠。

在這幾年中，我國經過不斷的努力，在各項技術領域的研究也不斷突破。這也是我們大家共同見證的，在這背后有著科研團隊努力的成果。我相信在這些科研團隊的共同努力下，我們中國一定會越來越繁榮、越來越富強。