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國產存儲芯片突破封測技術 三星看衰存儲芯片 存儲芯片價格下跌

日前，紫光宏茂宣布實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量產，這標志著內資封測產業在3D NAND先進封裝測試技術實現重大突破，助推紫光構建存儲芯片完整產業鏈。

芯片的產生要經歷設計、制造和封測幾個環節。此前，紫光已經掌握制造環節——在2017年，時任長江存儲執行董事的高啟全就表示，公司將于2017年底提供自主研發的32層3D NAND的樣本，之后會從事64層技術的研發。在2018年，紫光的32層 NAND芯片已經實現小規模量產。

根據長江存儲披露的資料，長江存儲的64層NAND將會在2019年量產，之后會跳過96層NAND，直接研發128層NAND。值得一提的是，長江存儲還搞出了Xtacking架構，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后，創新的XtackingTM技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬垂直互聯通道將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

長江存儲CEO楊士寧博士指出：“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技術我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業來講將是顛覆性的。”

可以說，依靠重金從海外挖掘人才和重金投入，長江存儲已經獲得了擠入國際存儲芯片市場的入場卷。而本次紫光麾下的紫光宏茂宣布實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量產，則標志著紫光已經掌握了封測技術，這對于紫光打通存儲芯片全產業鏈是一大利好。

美中不足的是，本次紫光掌握封測技術，并非是完全通過自主研發實現的，有一定的資本運作成分——紫光麾下的西藏紫光國微收購了宏茂48%的股份（宏茂為中國臺灣封測廠南茂子公司）。在獲得紫光注資后，紫光宏茂開始建設全新3D NAND封裝測試產線，組建團隊，研發先進封測技術，并在不久前開花結果。

就在國產存儲芯片喜訊頻來之際，三星、SK海力士等大廠開始看衰存儲芯片，存儲芯片的價格也是持續下跌，這直接影響到固態硬盤的產品的價格。在電商平臺上，某日資品牌240G的MLC價格已從峰值時的600+元，下跌到如今的300+元，而該品牌240G QLC的價格已經跌至200+元。