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武漢存儲芯片基地要做行業龍頭：耗資240億美元，主攻內存、閃存 ...

位于武漢的國家存儲器基地已經在28日破土動工，該項目由武漢新芯科技（XMC）公司主導，預計投資240億美元，背后則是國家大基金及武漢市政府基金支持，意圖在武漢打造全國最大、最先進的存儲芯片基地。該項目動工之后，我們才發現他們的目標遠不止于此，跟紫光豪言世界前三類似，武漢存儲器基地的最終產能也不是之前說的20萬片，而是100萬片，他們要做行業龍頭企業，同時主攻NAND閃存及DRAM內存兩大行業。

武漢存儲器產業基地背后的出資人有國家隊的大基金，也有地方隊的湖北省集成電路產業投資基金、國開發展基金及湖北科技投資集團，預計5年內投入240億美元，2018年建成投產。至于產能，當初提到的是每月20萬片晶圓，這個產能已經很強大了，不過后期還會繼續增加，2020年預計產能可達30萬片晶圓每月，到了2030年則會提升到100萬片每月。

國際通行的半導體產能衡量指標是統一到8英寸晶圓產能上，根據2015年統計的數據，全球產能最大的半導體公司是三星，總產能是每月253.4萬片，第二名是TSMC，每月產能為189.1萬片，第三名是美光，每月產能160萬片晶圓，第四、第五分別是東芝/閃迪、SK Hynix，產能134.4萬片、131.6萬片，第七名則是GlobalFoundries，產能為76.2萬片。

產能TOP5的公司都是經過多年投資的大廠，而武漢存儲器基地建成之時的20萬片晶圓產能算不上，但2030的100萬片晶圓產能就不可小覷了，差不多能達到SK Hynix與GlobalFoundries之間的量級了。——用15年后的產能比現在的水平雖然不公平，但別忘了武漢的晶圓廠只是中國發展半導體產業的一部分，其他城市還有更多類似項目，總體發展速度遠遠超過國際公司，后者新建晶圓廠的動機并不高。

此外，武漢基地的晶圓廠瞄準的是整個存儲器產業，第一階段的晶圓廠會主攻NAND閃存，而且是3D NAND閃存，第二家工廠則是針對DRAM內存芯片，第三個階段的工廠要為供應商服務。

國內投資建設的項目從來不缺資金，發展目標同樣也非常遠大，100萬片晶圓產能依然是個開始，這個項目的目標是做全球行業龍頭。中國大基金總經理丁文武在采訪中也表示大基金的投資方面就是做行業龍頭，不做一般的風險投資、天使投資。

不過在巨額資金及雄心壯志背后，武漢基地的存儲芯片技術水平依然是個迷，雖然直接切入新一代的3D NAND閃存，但今年國際主流的3D堆棧層數已經達到了32-48層，新芯科技與飛索半導體研發的3D NAND據說只有8層堆棧，建成工廠還需三年左右時間，屆時技術差距又該如何縮小呢？