818000163公司全新原裝現貨，價格優勢，歡迎查詢：

深圳市金鎮發科技有限公司

聯系人：陳先生陳小姐

電話：0755-83515980

傳真：0755-83515980

手機：13417373711

QQ：183166527 3404987807 634971956

新產品包括適合簡單型非隔離降壓式變換器的900 V版LinkSwitch -TN2 IC，以及適合35 W極高效率隔離反激式電源的三款InnoSwitch 3-EP旗艦系列IC。所有900 V系列器件都具有內部控制引擎，可在整個負載范圍內提供一致的高效率，從而使設計輕松滿足能源相關產品(ErP)的限值。此外，這些器件還可提供多種輸入電壓及負載保護，進一步增強系統穩定性和可靠性。

900V LinkSwitch-TN2 IC可以提供元件數最少的降壓式變換器開關電源方案。這些器件的限流點可外部進行設定，同時還完全集成了短路及開環故障狀態下的自動重啟動保護特性。頻率調制的使用可大幅降低EMI。無論在PCB板上還是在IC封裝上，器件均能保證漏極引腳至其他引腳之間的高壓爬電間距和空間距離符合要求。

900V InnoSwitch3-EP反激式開關電源IC可提供無損耗的輸入過壓保護檢測，在輸入電壓超過選定的閾值時可自動中斷開關，可防止在嚴重輸入過壓情況下對電源造成損壞。器件在各種輸入電壓及負載條件下均可提供業界領先的高效性能(效率達90%)，從而可降低電源損耗，實現無需散熱片的緊湊型35 W電源設計。這些900V InnoSwitch3-EP IC采用Power Integrations創新的隔離式數字通信技術 ——FluxLink，此外還具有同步整流(SR)、準諧振(QR)開關以及精確的次級側反饋檢測和控制電路。這些特性可實現高效率、高精度和高可靠性的電源電路，并且無需不可靠的光耦器。

兩個系列的SiC FET均基于UnitedSiC獨特的“共源共柵”電路配置，其中常開(normally-on)SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，可構建出具有標準柵極驅動特性的常關(normally-off)SiC FET器件。因此，現有系統在采用UnitedSiC“直接替代”FET升級后將具有很大性能提升，實現更低的導通和開關損耗，增強的熱性能和集成柵極ESD保護。如果是新設計，UnitedSiC FET可提供更高的開關頻率，從而帶來顯著的系統優勢，能夠實現更高效率，并可減小磁性元件和電容器等無源元件的尺寸和成本。

通過UnitedSiC的燒結銀(sintered-silver)封裝技術，行業標準的三引腳TO220-3L封裝能夠提供增強的熱特性。以這種封裝提供的新產品包括RDS(on)值為30和80mΩ的UJ3C器件，以及RDS(on)規格為40mΩ的UF3C器件。

三引線行業標準D2PAK-3L封裝則針對表面貼裝而設計，并通過IPC和JEDEC的濕度靈敏度等級1(Moisture Sensitivity Level 1)認證。以該封裝提供的新產品包括RDS(on)規格為30mΩ和80mΩ的UJ3C器件，以及RDS(on)規格為30mΩ和40mΩ的UF3C器件。

高級產品營銷經理SilvestroFimiani表示：“這些開關電源IC可讓三相電表、電機、工業輔助電源、家電以及手機充電器的設計人員實現真正兼容互通的電源設計，滿足世界各地用戶的可靠性預期。例如，致力于打開印度高質量消費類產品新興市場的OEM廠商不斷遭遇電氣損壞問題，必須對退貨產品進行維修或更換。我們的900 V開關電源IC可提供低成本且有效的保護，同時大幅降低運營及產品支持成本。”

900V InnoSwitch3-EP IC樣品現已開始供貨，基于10,000片的訂貨量單價為每片1.18美元。900V LinkSwitch-TN2 IC樣品也已開始供貨，基于10,000片的訂貨量單價為每片0.60美元。

本公司長期供應以下型號，大量現貨，歡迎廣大客戶，來電咨詢！！！

PTH08T220WAH
PTH08T230WAD
PTH08T260WAD
PTH08T210WAD
PTH08T210WAZT
PTH08T250WAD
PTH08T210WAS
TSC2100IRHB
DAC8806IDB
DAC8801IDRBT
DAC8802IPW
DAC8805QDBTR
DAC8801IDGKT
DAC8803IDBR
DAC8806IDB
DAC8802IPW
DAC8805QDBTR
DAC8801IDGKT
DAC8801IDRBT
CSD17381F4
CSD17307Q5A
AM26C32CDR
OPA2604AU/2K5
OPA2604AU/2K5
TPS2592AADRCR