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要做的首個也許是最簡單的選擇是你需要何種類型的擊穿電壓。由于電機控制往往頻率較低，因此與電源應用相比會產生較低的振鈴，因此輸入電源軌與FET擊穿之間的裕度會更積極(通常以犧牲使用緩沖器為代價)，以獲得電阻更低的FET。但一般來講，BVDSS與最大輸入電壓VIN之間保留40%的緩沖并非一個糟糕的規則——具體視你預期的振鈴次數以及你愿意用外部無源元件抑制所述振鈴的數量而定，一般會多10%或少10%。

選擇封裝類型可能是最關鍵的決策，完全取決于設計的功率密度要求(參見圖1)。在2A以下，FET經常(但不總是)被吸收到驅動器集成電路(IC)中。在10A以下的步進電機和低電流有刷和無刷應用中，小尺寸PQFN器件(SON 2mm x 2mm，SON 3.3mm x 3.3mm)可以提供最佳功率密度。若您優先考慮低成本而非更高的功率密度，那么采用老舊的SOIC型封裝即可勝任，但不可避免地會占用印刷電路板(PCB)更多的空間。

此次辟謠中，Peter Wennink重點強調了“韓國的最大客戶”。而縱觀韓國國內的半導體廠商，能大手筆從ASML那里購入大量光刻設備的毫無疑問唯三星莫屬。其實，早在2017年10月，三星為搶斷7nm產能，就曾一口氣從ASML方購入了10臺EUV光刻機設備，以此來加速自己并拖延臺積電和英特爾等競爭對手在7nm技術上的布局進度。值得一提的是，ASML的EUV設備年產量僅有12臺，這也意味著三星近乎壟斷了ASML EUV光刻機83%的產能。

三星曾是ASML的股東之一，并持有ASML公司1260萬股，持股比例達2.9%。但是在2016年9月，三星就已經以6億歐元的價格拋售了其所持有的ASML公司全部股份，這也意味著三星如今已不再是ASML的股東之一。相應的，三星在2016年還出資收購了ASML競爭對手XTAL(技術侵權方)30%的股份，顯見三星如今與ASML已成為了純粹的客戶與競爭關系。從17日ASML官網披露的聲明中可以發現，XTAL竊取ASML軟件技術的目的就是為了創造一個競爭性的產品提供給韓國投資了XTAL的客戶，這也使得三星這個真正策劃剽竊的幕后黑手得以現出原形。

其實從三星供應鏈的發展史來看，并不光鮮。早前在2006年，NHK就在一部紀錄片中詳細地記載了三星用告密、竊密、挖角等種種不正當手段逐漸拖垮東芝半導體的過程。甚至在如今的智能手機供應鏈領域，也有行內人士曾爆料，三星和很多中小廠商的合作，目的都是為了從供應商那里拿到技術為自己所用。在三星眼里，這些供應商只不過是陪練和產能調節器，三星把難做的訂單外發給供應商，并順帶偷師供應商的技術。待成功之后，便采用旺季時瘋狂下單，逼迫供應商擴大產能，而淡季時卻不給訂單，逼著供應商關門的手段，使得其在供應鏈技術上迅速成長起來。如今，三星又開始用這種手段來剽竊和強攻ASML的技術，但這真的可行嗎?

本文主要討論特定終端應用需要考慮的具體注意事項，首先從終端應用中將用于驅動電機的FET著手。電機控制是30V-100V分立式MOSFET的一個龐大且快速增長的市場，特別是對于許多驅動直流電機的拓撲結構來說。在此，我們將專注于討論如何選擇正確的FET來驅動有刷、無刷和步進電機。盡管很少有硬性規定，且可能有無數種方法，但希望本文能讓您基于終端應用了解從何處著手。

要做的首個也許是最簡單的選擇是你需要何種類型的擊穿電壓。由于電機控制往往頻率較低，因此與電源應用相比會產生較低的振鈴，因此輸入電源軌與FET擊穿之間的裕度會更積極(通常以犧牲使用緩沖器為代價)，以獲得電阻更低的FET。但一般來講，BVDSS與最大輸入電壓VIN之間保留40%的緩沖并非一個糟糕的規則——具體視你預期的振鈴次數以及你愿意用外部無源元件抑制所述振鈴的數量而定，一般會多10%或少10%。

選擇封裝類型可能是最關鍵的決策，完全取決于設計的功率密度要求(參見圖1)。在2A以下，FET經常(但不總是)被吸收到驅動器集成電路(IC)中。在10A以下的步進電機和低電流有刷和無刷應用中，小尺寸PQFN器件(SON 2mm x 2mm，SON 3.3mm x 3.3mm)可以提供最佳功率密度。若您優先考慮低成本而非更高的功率密度，那么采用老舊的SOIC型封裝即可勝任，但不可避免地會占用印刷電路板(PCB)更多的空間。

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