HB2系列650 V IGBT STMicro的溝槽柵極場截止，650 V，40 A，高速HB2系列IGBT，采用TO-247長引線封裝

意法半導體的IGBT 650 V HB2系列代表了先進的專有溝槽柵極場截止結構的演變。由于在低電流值下具有更好的VCE（sat）特性以及降低的開關能量，HB2系列的性能在傳導方面得到優化。僅用于保護目的的二極管與IGBT反并聯共同封裝。結果是專門設計的產品，以最大限度地提高各種快速應用的效率。

特征 最高結溫：TJ= 175°C 低VCE（sat）= 1.55 V（典型值）@ IC= 40 A. 共同封裝的保護二極管 最小化尾電流 緊密的參數分布 低熱阻 正VCE（sat）溫度系數