A3P400-PQG208

特點和優點


高容量


•15 k至1 m系統閘門


•高達144 kbit的真正雙端口SRAM


•最多300個用戶I/O


可編程閃存技術


•130納米，7層金屬（6銅），基于閃存的CMOS


過程


•即時0級支持


•單芯片解決方案


•斷電時保持編程設計


高性能


•350兆赫系統性能


•3.3 V，66 MHz 64位PCI†


系統編程（ISP）與安全


•ISP使用片上128位高級加密標準


（AES）解密（啟用ARM®的Proasic®3設備除外）


VIA JTAG（符合IEEE 1532）†


•FlashLock®保護FPGA內容


低功耗


•低功耗的核心電壓


•僅支持1.5 V系統


•低阻抗閃光開關


高性能路由層次結構


•分段、分層路由和時鐘結構


高級輸入輸出


•700 Mbps DDR，支持LVDS的I/O（A3P250及以上）


•1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V混合電壓運行


•根據JESD8-B提供寬范圍電源電壓支持，


允許I/O從2.7 V運行到3.6 V


•每個芯片可選擇的4組輸入/輸出電壓


•單端I/O標準：LVTTL、LVCMOS 3.3 V/


2.5 V/1.8 V/1.5 V、3.3 V PCI/3.3 V PCI-X†和LVCMOS


2.5 V/5.0 V輸入


•差異I/O標準：LVPECL、LVDS、B-LVDS和


M-LVDS（A3P250及以上）


•輸入、輸出和啟用路徑上的I/O寄存器


•熱插拔和冷備份I/O


•可編程輸出轉換率†和驅動強度


•上/下拉差


•IEEE 1149.1（JTAG）邊界掃描測試


•Proasic3系列中的針兼容軟件包


時鐘調節電路（CCC）和PLL†


•六個CCC模塊，一個集成PLL


•可配置相移、乘/除、延遲功能


以及外部反饋


•寬輸入頻率范圍（1.5兆赫至350兆赫）


嵌入式內存†


•1 kbit的FlashROM用戶非易失性存儲器


•SRAM和FIFOS，具有可變縱橫比4608位RAM


塊（×1、×2、×4、×9和×18組織）†


•真正的雙端口SRAM（除×18外）


Proasic3 FPGA中的ARM處理器支持


•M1 Proasic3設備ARM®Cortex®-M1軟處理器


有或無調試可用