SiC功率MOSFET ROHM的SiC MOSFET具有低導通電阻和低開關損耗

ROHM的碳化硅（SiC）MOSFET可提供各種額定電流和封裝。它們具有650 V，1,200 V或1,700 V的各種導通電阻和電壓（VDSS）額定值。與IGBT不同，關斷期間沒有尾電流，從而實現更快的工作速度和更低的開關損耗。此外，與硅器件不同，導通電阻即使在高溫下也保持相對恒定，從而使傳導損耗最小化。提供具有最大短路耐受時間的第二代平面和具有減小的輸入電容和較低柵極電荷模型的第三代溝槽。裸片最高可達1,700 V。

特征 快速切換，低損耗 最高結溫：+ 175°C 封裝器件額定電壓為650 V，1,200 V或1,700 V. 導通電阻為17mΩ至1,150mΩ 提供Spice模型和熱模型 第二代平面技術，具有更長的短路耐受時間 對體二極管的使用沒有限制 采用低輸入電容（CISS）和低柵極電荷（QG）的第三代溝槽技術 直流阻斷電壓：650 V，1,200 V，1,700 V. 最小的開關損耗 工作溫度范圍：-40°C至+ 175°C 應用 用于感應加熱的變頻器 電機驅動逆變器 雙向轉換器 太陽能逆變器 電力調節器