DS1302使用外部32.768kHz晶體。振蕩器電路不需要任何外部電阻或電容器工作。表1規定了外部晶體的幾個晶體參數。

圖1顯示了振蕩器電路的功能示意圖。如果使用具有指定特性的晶體，則啟動時間為通常不到一秒鐘。

時鐘精度時鐘的精度取決于晶體的精度和兩者之間匹配的精度。振蕩器電路的電容負載和對晶體進行修整的電容負載。

附加的溫度漂移引起的晶體頻率漂移會增加誤差。

外部電路噪聲耦合到振蕩器電路可能導致時鐘快速運行。

圖2顯示了用于隔離晶體和振蕩器的噪音。參考應用說明58：達拉斯實時時鐘的晶體考慮因素有關詳細信息。

CE和時鐘控制驅動CE輸入高啟動所有數據傳輸。CE輸入有兩個功能。

首先，CE打開允許訪問地址/命令序列的移位寄存器的控制邏輯。第二，CE信號提供終止單字節或多字節CE數據傳輸的方法。

時鐘周期是上升沿和下降沿的順序。對于數據輸入，數據必須在時鐘的上升沿和數據位在時鐘的下降沿上輸出。

如果CE輸入低，則所有數據傳輸終止，I/O引腳進入高阻抗狀態。圖4顯示了數據傳輸。

在上電時，CE在VCC>2.0V之前必須是邏輯0。此外，當CE被驅動到邏輯1狀態時，SCLK必須處于邏輯0。

數據輸入在輸入寫入命令字節的八個SCLK循環之后，在下一個的上升沿上輸入一個數據字節。八個SCLK循環。

如果意外發生，則忽略其他SCLK循環。數據從開始輸入比特0。

數據輸出在輸入讀取命令字節的八個SCLK循環之后，在接下來的8個SCLK循環。

注意，要傳輸的第一個數據位發生在最后一個位之后的第一個下降沿上。寫入命令字節的。

額外的SCLK周期會在不經意間發生時重新傳輸數據字節。只要CE保持在高位。此操作允許連續突發模式讀取功能。

此外，I/O引腳為三態在SCLK的每個上升邊緣。數據從0位開始輸出。

突發模式可以通過尋址位置31十進制來為時鐘/日歷或RAM寄存器指定突發模式。（地址/命令位1到5=邏輯1）。

如前所述，位6指定時鐘或RAM，位0指定讀取或寫。時鐘/日歷寄存器中的位置9到31或中的位置31沒有數據存儲容量。

RAM寄存器。以突發模式讀或寫從地址0的位0開始。以突發模式寫入時鐘寄存器時，前八個寄存器必須寫入，以便數據被轉移。

但是，當以突發模式寫入RAM時，不需要將數據的所有31個字節都寫入轉讓。寫入的每個字節都將被傳輸到RAM，不管是否全部寫入了31個字節。