CY62167ELL-45ZXI特征

可配置為1 m×16或2 m×8 SRAM

■超高速：45ns

■寬電壓范圍：4.5 V至5.5 V

■超低備用功率

典型備用電流：1.5微安

最大待機電流：12微安

■超低有功功率

典型有功電流：F=1 MHz時為2.2 mA

使用CE1、CE2和OE功能輕松擴展內存

■取消選擇時自動斷電

■具有最佳速度和功率的CMOS

■提供48針TSOP I包裝

功能描述

CY62167E是一種高性能的CMOS靜態RAM。按1 M字16位/2 M字8位排列。這個設備采用先進的電路設計，提供超低有功電流。

這是提供更多電池壽命的理想選擇（MOBL®）在便攜式應用中。該設備還具有自動斷電功能，降低功耗當地址不切換時。

將設備置于待機狀態取消選擇時的模式（CE1高或CE2低，或兩個BHEBLE很高）。

輸入和輸出引腳（I/O0I/O15）在以下情況下處于高阻抗狀態：
■設備被取消選擇（CE1高或CE2低）輸出被禁用（OE高）
■禁用字節高啟用和字節低啟用（bhe，或高）或寫入操作正在進行中（CE1低、CE2高，


低）