碳化硅（SiC）MOSFET使用的技術與硅相比，可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此，系統優勢包括高效率，更快的工作頻率，更高的功率密度，更低的EMI和更小的系統尺寸。
NTHL080N120SC1碳化硅，可提供高效率，更高的功率密度和更小的系統尺寸
發布時間:2019/5/30 9:48:00 訪問次數:608 發布企業:深圳市和諧世家電子有限公司
碳化硅（SiC）MOSFET
安森美半導體的SiC MOSFET可提供高效率，更高的功率密度和更小的系統尺寸
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