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供應雙向可控硅BTA16-600SWRG​

發布時間:2019/6/25 9:34:00 訪問次數:325 發布企業:深圳市旺財半導體有限公司

絕對最大額定值符號參數值單位

IT(RMS)RMSon-state電流(全正弦波)

到220ab,D2PAKTc=100℃

16一個

ab-220英寸。Tc=86°C

ITSM非重復浪涌峰值狀態電流(全周期,Tj初始=25°C)

F=50hztp=20ms160

一個

F=60hztp=16.7ms168I2tI2t值融合tp=10ms144A2s

dl/dt

通電電流的臨界上升率IG=2xIGT,tr≤100ns

F=120HzTj=50125°C/µs

VDSM/VRSM非重復激增斷開的峰值電壓tp=10msTj=25°CVDRM/VRRMIGM+100V峰值門電流tp=20µsTj=1254°CPG(AV)平均功耗門Tj=125°C1W測試存儲結溫度范圍-40+150°CTj工作結溫范圍-40+125°C

表2。靜態電特性測試條件Tj象征價值單位VT(1)ITM=22.5,tp=380µs25°C馬克斯。1.55VVTO通路狀態(1)閾值電壓125°CMax。0.85VRD(1)動態阻力125°C馬克斯。25mΩ

IDRM/IRRMVDRM=VRRM

25°C

Max。

5µA125°C2馬

1.對于A2和A1的極性

表3。電氣特性(Tj=25℃,除非另有規定)-標準(4象限)

符號參數象限

BTA16BTB16機組

IGT(1)

VD=12V,RL=33Ω

I-II-IIIIV

Max。

25個50

50100

VGT馬克斯。1.3VVGDVD=VDRMRL=3.3kΩ,Tj=125°C0.2分鐘。VIH(2)=500馬馬克斯。2550mA

IL=1.2IGT

I-III-IV最大。4060

符號參數方塊

BTA16BTB16單位CB辦公室/dt(2)VD=67VDRM大門口公開賽,Tj=125°CMin。200400V/µs(辦公室/dt)C(2)(/dt)C=7A/ms,Tj10=125°C敏。5V/µs

1。最小IGT是最大IGT的5%。2.A2的兩極都是A1

4桌。電子characteristics(Tj=25C,不少于otherwisespecified)-Snubberlessandlogiclevel(3象限)

符號參數方塊

T1610/BTA16SW/BTB16SW

T1635/BTA16-CW/BTB16-CW

T1650/BTA16-BW/BTB16-BW

單位

IGT(1)

VD=12V,RL=30Ω

一,二,三

麥克斯。103550但VGT麥克斯。1。3VVGDvll=VDRM,RL=33kΩ,Tj=125°C敏。0。2Viii(2)IT=500但麥克斯。153550但

IG=1.2IGT

I-III最大值,255070

II麥克斯。306080(辦公室/dt)(2)VD=67VDRM大門口公開賽,Tj=125°C敏。405001000V/µs

(/dt)c(2)


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