CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件，把金屬鉑研制成粉漿，采用先進的激光噴濺薄膜技術，及光刻法和干燥蝕刻法把鉑附著 在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成。完全自動化的生產程序保證了產品規格完全符合IEC、DIN和JIS標準。
鉑電阻元件的測試電流不應超過允許值，例如 CRZ-1632 元件裝在沒有任何充填物的φ8mm 保護管內，保護管浸在 0℃的攪拌水中，當測試電流為 1mA 時，溫升為 0.05℃; 當測試電流為 5mA 時，溫升為 2.2℃.
日本林電工鉑電阻：
每支元件的標稱阻值出廠時已經過檢定。每個小包裝（10pcs/袋）內的阻值完全一致。
Pt1000常用阻值：1000.00Ω / 999.9Ω /999.8Ω /999.7Ω 1000.1Ω/1000.2Ω /1000.3Ω 訂貨前請指定。
鉑電阻元件的穩定性
鉑電阻元件有良好的長期穩定性,例如 CRZ-1632 在 400℃時持續 300 小時,0℃時的溫度漂移僅為 0.02℃
日本林電工2005系列Pt100薄膜電阻性能和參數：
1.鉑電阻元件的溫度系數TCR
TCR=R100-R0/ R0×100
其中R100在100℃時的電阻值
R0 在0℃時的電阻值
我們提供符合IEC751標準的TCR=0.003851的鉑電阻元件，此外，我們也可為客戶提供其它溫度系數的鉑電阻元件，如TCR=0.003750等。
2.鉑電阻元件的溫度-電阻特性
RT=R0[1+aT-bT2-cT3 (T-100)]
RT 在溫度T時的電阻值
R0 在零度時的電阻值a b c 系數
TCR=0.003851時的系數
CRZ-1632-100
CRZ-2005-100
CRZ-2005-1000
CRZ-2005-500
日本林電工鉑電阻Pt100/Pt1000A級CRZ-1632-A級/CRZ-2005-A級芯片
1．林電工公司可提供符合iec及jis標準的a級和b級產品；
2．除了100ω的薄膜鉑電阻元件，林電工還提供1000ω的元件；
3．薄膜鉑電阻元件用陶瓷和鉑特制而成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50℃～400℃的溫度下使用；
4．鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而薄膜鉑電阻元件具有良好的防振和防沖擊性能；
5．鉑薄膜表面覆蓋以陶瓷，因此元件能夠承受高電壓并具有良好的絕緣性；
6．為節省用戶時間確保產品質量，林電工在提供所有crz元件前會檢查并注明元件在0℃的準確阻值；
7．引線材料為鎳鍍金。
產品型號:CRZ-1632-100 CRZ- 2005-1000
產品規格：A級高精度 -50-400℃
工藝介紹：日本林電工HAYASHI DENKO Pt100 pt500 Pt1000鉑電阻元件--薄膜鉑電阻： 用真空沉積的薄膜技術把鉑濺射在陶瓷基片上，膜厚在2μm以內，用玻璃燒結料把Ni(或Pd)引線固定，經激光調阻制成薄膜元件。繞線鉑電阻（陶瓷、玻璃、云母）：用φ0.02～0.04 ㎜ 高純鉑絲繞制而成。
描述：用真空沉積的薄膜技術把鉑濺射在陶瓷基片上，膜厚在2微米以內，用玻璃燒結料把Ni（或Pd）引線固定，經激光調阻制成薄膜元件。
日本林電工HAYASHI DENKO Pt100 pt500 Pt1000鉑電阻元件--薄膜鉑電阻： 用真空沉積的薄膜技術把鉑濺射在陶瓷基片上，膜厚在2μm以內，用玻璃燒結料把Ni(或Pd)引線固定，經激光調阻制成薄膜元件。繞線鉑電阻（陶瓷、玻璃、云母）：用φ0.02～0.04 ㎜ 高純鉑絲繞制而成。
CRZ薄膜元件應用的注意事項:
1.直接使用元件或制成溫度傳感器測溫時，避免超過測溫量程，短時間內雖不會損壞亦影響產品壽命和精度。
2.用CRZ元件組裝溫度傳感器時，在使用高溫固化環氧膠灌封時，應注意其在固化過程中應力的變化，否則可能損壞元件(一般為開路)；在使用氧化鎂或氧化鋁充填過程中，應避免元件直接接觸保護管尖銳的內表面，否則在振動過程中，有可能使元件的瓷片邊緣破損，造成元件開路損壞。
3. 在制做溫度傳感器時，必須保證灌封材料的高度絕緣性能，否則會導致產品的電氣絕緣性能降低，并且影響元件的測試數據，一般會導致測試電阻值偏低。
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