DDR2 SDRAM采用雙數據速率架構來實現高速運行。雙數據速率體系結構本質上是一個4n預取體系結構，其接口設計為在I/O球上每個時鐘周期傳輸兩個數據單詞。DDR2 SDRAM的一個讀或寫操作實際上由一個4n位寬的、在內部DRAM核心的兩個時鐘周期的數據傳輸和四個相應的n位寬的、在I/O球上的一個半時鐘周期的數據傳輸組成。雙向數據頻閃(DQS, DQS#)與數據一起從外部傳輸，用于在接收端捕獲數據。DQS是DDR2 SDRAM在讀取期間和內存控制器在寫入期間傳輸的一個頻閃。DQS與用于讀取的數據進行邊緣對齊，與用于寫入的數據進行中心對齊。x16提供了兩個數據頻閃，一個用于下字節(LDQS, LDQS#)，另一個用于上字節(UDQS, UDQS#)。DDR2 SDRAM通過差分時鐘(CK和CK#)工作;CK走高與CK#走低的交點稱為CK的正邊。命令(地址和控制信號)在CK的每個正邊緣注冊。輸入數據注冊在DQS的兩條邊，輸出數據引用到DQS的兩條邊以及CK的兩條邊。對DDR2 SDRAM的讀寫訪問是面向突發事件的;訪問從選定的位置開始，并按程序順序對程序數量的位置進行繼續。訪問首先注冊一個ACTIVATE命令，然后注冊一個READ或WRITE命令。與ACTIVATE命令一致注冊的地址位用于選擇要訪問的銀行和行。與讀或寫命令一致注冊的地址位用于選擇銀行和突發訪問的起始列位置。DDR2 SDRAM提供4個或8個位置的可編程讀或寫突發長度。DDR2 SDRAM支持用另一個讀中斷一個8的突發讀或用另一個寫中斷一個8的突發寫。可以啟用自動預充功能來提供在突發訪問結束時啟動的自動定時行預充。與標準DDR SDRAM一樣，DDR2 SDRAM的流水線式多銀行體系結構支持并發操作，從而通過隱藏行預充和激活時間來提供高有效帶寬。提供自刷新模式和省電、斷電模式。所有輸入都與SSTL_18的JEDEC標準兼容。所有的驅動強度輸出都是sstl_18兼容的。