650 V、SuperFET® III MOSFET ON Semiconductor 推出其 650 V、SuperFET® III MOSFET，相同封裝尺寸具有更高的功率密度和超過 40% 的Rds(on) 降低

的 650 V、SuperFET III 系列是為實現高功率密度而專門設計的高性能超級結 MOSFET。 相比上一代行業領先技術，SuperFET III 技術在相同的封裝尺寸下使得 Rds(on)降低了 40% 以上，能夠讓產品設計人員減小封裝尺寸或增加相同封裝的功率。

特性 應用
能夠實現更高系統能效的同類最佳 FOM 和 Eoss 先進的充電平衡技術 具有更低柵極振蕩和 EMI 的高均衡型開關特性 同類最佳堅固型體二極管 所有易驅動型 MOSFET 中Rsp最低 服務器 電信系統 EV 充電器 工業系統