晶體管STC6NF30Vn溝道30 v 2.5 - 0.020Ω- 6 a TSSOP8 v-drive STripFET™II功率MOSFET60V

一般特征■超低閥值閘板驅動(2.5V)■標準外形，便于自動表面安裝安裝

晶體管STC6NF30V該功率MOSFET是意法半導體公司最新開發的獨特的“單特征尺寸™”條帶制程。所得到的晶體管在低導通電阻下顯示出極高的封裝密度。

VDS公司漏源極電壓(vg = 0) 30 V VDGR Drain-gate電壓(該公司= 20 kΩ)20 V vg Gate-source±電壓12 V ID漏極電流(連續)TC 6 = 25°C ID漏極電流(連續)TC IDM 3.8 = 100°C (1)

晶體管STC6NF30V1. 脈沖寬度受安全操作區域限制

漏電流(脈沖)24 A總損耗在TC = 25℃1.5 W Tstg存儲溫度-55 ~ 150℃TJ Max時。工作結溫-55至150℃

表2。熱阻接口- pbc Max 100 (1)

1. 當安裝在FR-4板與1英寸ch2墊，2盎司的銅。t = 10秒。熱阻接頭- pbc Max 83.5 (2)

2. 安裝在建議的最小占用空間上時

V(BR)DSS漏源擊穿電壓

ID = 250µa vg 30 V = 0中的難點零柵電壓漏電流(VGS = 0)

VDS =最大額定值，VDS =最大額定值@125℃1 10

µAµAigs門體泄漏電流(VDS = 0)VGS =±12V±100na

VDS vg (th)門閾值電壓= vg, ID = 250µa 0.6 V RDS()靜態漏源極電阻vg = 4.5 V, ID = 3 vg = 2.5 V, ID = 3 0.020 0.025 0.025 0.030ΩΩ動態符號參數試驗條件最小。Max。單位gfs (1)

晶體管STC6NF30V1. 脈沖,脈沖持續時間= 300µs,占空比1.5%

正向跨導VDS = 10V, ID = 6a18 S獨聯體輸出電容crs

ISD源漏電流6a ISDM(1)

1. 脈沖寬度受安全操作區域限制

源漏電流(脈沖)24a房間隔缺損(2)2. 脈沖,脈沖持續時間= 300µs,占空比1.5%正向電壓ISD = 6A, VGS = 0 1.2 V

trr Qrr IRRM反向恢復時間反向恢復充電反向恢復電流ISD = 6, di / dt = 100 /µs, VDD = 15 v, TJ = 150°C