FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
170mA
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
6 歐姆 @ 250mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
2nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
60pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
350mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
SOT-23
封裝/外殼
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
主要產品線
Ø 功率器件POWER---大功率MOSFET,如STM,IR,FSC品牌Ø MCU---8位、16位、32位單片機,如ST,NXP,SAMSUNG品牌
Ø 可編程器件FPGA,DSP---如XILINX,TI品牌
Ø 數模/模數轉換AD/DA---如AD,MAXIM品牌
Ø 傳感器---如OPTEK,AVAGO,ST品牌
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