深圳市哲瀚電子科技一級代理OCX系列產品：低壓LED驅動系列OC1002 OC4000 OC4001 OC5010 OC5011 OC5012 OC5020B OC5021B OC5022B OC5022 OC5028B OC5031 OC5036 OC5038 OC5120B OC5120 OC5121 OC5122A OC5122 OC5128 OC5136 OC5138 OC5330 OC5331 OC5351 OC5501 OC5620B OC5620 OC5622A OC5628 OC6700B OC6700 OC6701B OC6701OC6702BOC6702 OC6781 OC7130 OC7131 OC7135 OC7140 OC7141 電源管理系列OC5800L OC5801L OC5802L OC5806L OC5808L OC6800 OC6801 OC6811 高壓LED驅動系列OC9300D OC9300S OC9302 OC9303 OC9308 OC9320S OC9330S OC9331 OC9500S OC9501 OC9508等更多型號，提供方案設計技術支持等，歡迎來電咨詢0755-83259945/13714441972陳小姐。
OC6702B 是一款內置 100V 功率NMOS 高效率、高精度的升壓型大功率LED 恒流驅動芯片。
OC6702B 采用固定關斷時間的控制方式，關斷時間可通過外部電容進行調節，工作頻率可根據用戶要求而改變。
OC6702B 通過調節外置的電流采樣電阻，能控制高亮度 LED 燈的驅動電流，使 LED 燈亮度達到預期恒定亮度。在 EN端加 PWM 信號，還可以進行 LED 燈調光。
OC6702B 內部集成了 VDD 穩壓管，軟啟動以及過溫保護電路，減少外圍元件并提高系統可靠性。
OC6702B 采用 ESOP8 封裝。散熱片內置接 SW 腳。
特點
‹ 寬輸入電壓范圍：2.6V~100V
‹ 內置 100V 功率 MOS
‹ 高效率：可高達 95%
‹ 最大工作頻率：1MHz
‹ FB 電流采樣電壓：250mV
‹ 芯片供電欠壓保護：2.6V
‹ 關斷時間可調
‹ 智能過溫保護
‹ 軟啟動
‹ 內置 VDD 穩壓管
應用
‹ LED 燈杯
‹ 電池供電的 LED 燈串
‹ 平板顯示 LED 背光
‹ 大功率 LED 照明
升壓恒流:
OC6701 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可3A以內
OC6700 3.2～60V 大于輸入電壓2V以上即可 2A以內
OC6702 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可 1A以內
降壓恒流:
OC5021 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5020 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內
OC5022 3.2～60V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 3A以內
OC5028 3.2～100V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作1.5A以內
OC5011 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5010 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作2A以內
LED DRIVER DC-DC升降壓恒流
OC4001 5～100V 3.2～100V 3A
LED DRIVER DC-DC線性降壓恒流
OC7135 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可固定<400mA
OC7131 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可 可外擴，實際電流決定于MOS管功耗
OC7130 2.5-30V 低于等于輸入電壓即可 實際電流決定于IC整體耗散功率
LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列：LED遠近光燈專用芯片
OC5200 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內
OC5208 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 1.5A以內
LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列：多功能LED手電筒專用芯片
OC5351 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5331 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 5A以內
DC-DC降壓恒壓
OC5801 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作 3A以內
OC5800 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作2A以內
在Semicon West發表演說的主講人指出，「摩爾定律」(Moore’s law)日益接近經濟效益的終點，在追逐尺寸更小、成本更低但更快速的芯片發展道路上，它所能帶來的投資報酬率正持續遞減中。透過封裝工程師的巧思，可望以創新的方式將各個芯片堆疊成更強大的裝置，同時有助于扭轉這一困境。
目前正為新的半導體發展藍圖監督芯片堆疊任務的資深工程教育家兼企業家Bill Bottoms說：「整合就是未來。」(Integration is the future.)據他估計，設計傳統的5nm芯片成本可能高達6億美元，而且「這并無以為繼」。
為了克服這一困境，來自英特爾(Intel)和臺積電(TSMC)的工程師以及一項政府研究計劃進一步描述了目前的封裝技術進展以及未來的挑戰。他們期望打造像樂高(Lego)積木一樣可相互進行模塊化組裝的一系列「小芯片」(chiplet)，為其定義標準接口，并推動其互連至10微米甚至更小。
英特爾模塊工程總監Rahul Manepalli列出了一些現有的重大挑戰：
互連接口必須進一步縮小，讓每平方毫米可達到超過250個I/O。
需要新材料以實現更高的訊號傳輸速度以及不至于在壓力下翹曲的鏈路。
芯片堆疊中所使用的玻璃和有機面板需要標準尺寸。
封裝需要采用目前晶圓廠所使用的阻障層。
封裝制造商需要采用晶圓廠使用的嚴格制程控制以及自動化技術。
他說：「封裝最終看起來將會越來越像晶圓產線后段制程中所采用的銅對銅互連。」
Manepalli指出，最近業界積極聚焦于封裝技術的行動「令人振奮」。他在取得半導體封裝相關的博士學位后，已在英特爾鉆研此領域約20年了。他曾經協助設計了英特爾的嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)，這是該公司迄今在芯片堆疊方面所取得的重大成就。
英特爾至今已經出貨了超過1百萬臺使用EMIB的裝置，在FPGA與串行解串器(serdes)之間或PC處理器和GPU之間建立橋接。諷刺的是，這項工作最初是針對智能型手機SoC而開發的。
今年稍晚，英特爾將會推出代號為Lakefield的筆記本電腦芯片，該芯片采用另一項稱為Foveros的新芯片堆疊技術，可將兩塊芯片面對面連接起來。英特爾的目標是在2020年底，將EMIB和Foveros這兩項技術結合起來，以打造更強大的多芯片堆疊。
臺積電勾勒未來的芯片互連和封裝技術動態。（來源：TSMC）
臺積電、DARPA分享芯片堆疊藍圖
臺積電也和英特爾一樣，對于結合前段與后端晶圓廠技術抱持長遠的看法，期望該技術組合可用于打造一種涵蓋任何應用的各種3D堆棧。為了達到這一目標，臺積電至今已經為特定市場開發至少8種新的封裝組合了。
臺積電負責封裝研發的處長余國寵(K.C. Yee)介紹目前的封裝技術選項，包括為Nvidia和Xilinx等公司打造的2x CoWoS繪圖芯片，以及為蘋果(Apple)和其它公司提供的更低成本智能型手機方案。
在中介層技術上市的五年來，臺積電已經為客戶投片超過50種CoWoS設計了。擁有20年封裝技術經驗的Yee在2011年加入臺積電，當時正值該公司全力沖刺芯片堆疊技術之際。
臺積電為各種手機組件定義不同的InFO技術（來源：TSMC）
不過，英特爾、臺積電等巨頭可能還需要幾年的時間才能開發出更成熟的產品，并在標準方面達成共識。為了實現這一目標，Andreas Olofsson開始負責一項美國政府的芯片堆疊研究計劃。
Olofsson說：「過去一年半以來，我們一直在討論串行與平行連接的優缺點。」不過，他強調，政府研究計劃終究「不是推動標準的組織......我們主要任務在于探索如何權衡折衷，但并不會建立標準——標準必須來自于產業界。」
然而，這個由9家公司和3所大學組成的組織開始取得了進展。英特爾為EMIB的物理層互連接口——先進接口總線(AIB)，發布了規格和參考設計。Olofsson說：「對此感興趣的任何人都可以很快地啟動并執行，因為它提供了完整的記錄。」
英特爾將在今秋推出Stratix X FPGA，透過55微米銅柱凸塊技術的EMIB連接至Jariet的64GSample/s雷達芯片。Olofsson說，這項成果將展現「打造最強大雷達芯片的最低成本方式」。
這項計劃還包括其他研究，美國加州大學洛杉磯分校(UCLA)展示其打造10微米互連技術的進展。Lockheed Martin公司并對其板卡設計所需的小芯片類型進行了分析。
同時，還有21個技術工作小組已經為一項芯片堆疊開發藍圖發表大約10個章了。Bottoms說，這份產業開發藍圖預計將在今年年底前完成。
明年，該工作小組還將聽取來自全球工程師的反饋意見，并在21個團隊之間啟動合作計劃。
Bottoms說，這項任務「已經刺激了一些競爭前的合作，而且還將加速進展。」
例如，一項研究200mm和300mm晶圓的計劃發現具有1mm翹曲的芯片可實現容許的良率范圍，但接近5mm翹曲的芯片則否。「我們花了好幾年的時間才把這項計劃結合在一起，」他說。
Bottoms預測，業界正在醞釀一波采用微型系統級封裝(SiP)組件的趨勢。例如，最新型的Apple Watch就是至今即將推出的少數幾例SiP產品之一。
如今大多數「主要的系統公司都有多項SiP計劃進行中。你將會在今年看到更多這一類的產品，而且預計在未來的兩三年后將無處不在。」
