深圳市大唐盛世半導體有限公司
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CHT-PLA2316A-HM8A-T ： 是一種高溫1200 V/30A雙碳化硅MOSFET。本發明所述的內稟體二極管可作為自由驅動二極管，并建議使用小占空比來限制功耗。它適合于在高溫環境下實現DC-DC變換器或電機驅動等應用的功率半橋。這兩個獨立的開關可以并行使用，總共提供60A。本產品保證在-55°C~+210°C(TJ)范圍內正常運行。每個MOSFET都有超過1200 V的擊穿電壓，并且能夠高達30A的開關電流。在25°C下，它們的電阻為20mΩ，在VGS=20V時，在210°C時為60mΩ。
CISSOID是高溫半導體解決方案的領導者，在極端溫度和惡劣環境下提供標準產品和定制解決方案，用于電源管理、功率轉換和信號調理。
CISSOID提供高可靠性的產品，保證從-55°C到+225°C，并且通常在這個范圍之外使用，從低溫到上極地。
無論環境溫度是低的，但功耗加熱芯片，或在高溫環境下，CISSOID產品使能源，重量和成本節省在更輕，無冷卻和更緊湊的電子系統。
它們用于關鍵任務系統以及需要長期可靠性的應用中.CISSOID為石油和天然氣、航空、工業和汽車市場的領導者提供服務。
十多年來，CISSOID一直致力于高溫電子板、模塊和子系統的設計。CISSOID基于其高溫集成電路，開發了傳感器接口、電源管理功能和功率轉換器，包括DC-DC變換器和電機驅動器。CISSOID還建立了一個合作伙伴生態系統，提供電阻、電容器、電感、變壓器、連接器或印刷電路板等高溫元件。
CISSOID提供了廣泛的與高溫電子系統設計有關的服務，從對關鍵功能的準時支持，例如電源，到像電機驅動器這樣的復雜系統的完整設計和制造。
對于極端溫度環境，我們也可以支持我們的客戶開發混合模塊或自定義組件。
包裝是建立可靠的高溫組件和模塊的關鍵。為了提供最可靠的組件，CISSOID投入了大量的精力和資源來開發高溫封裝專業知識和健壯的組裝技術。CISSOID也是幾個國際研究協會高溫包裝工作的一部分。
這方面的專長包括在塑料、陶瓷或金屬封裝中組裝低功率高溫集成電路，但也包括分立封裝或功率模塊中的功率器件，如海王星1200 V/10A SiC MOSFET和Pluto Dual1200V/30A SiC MOSFET電源模塊。CISSOID還建立了合作伙伴關系，為客戶提供高溫混合模塊的一站式設計和制造，例如傳感器接口、DC-DC轉換器或智能電源模塊。
CISSOID提供與高溫集成電路封裝有關的廣泛服務，包括：
離散或多芯片組件，包括混合模塊 特別是電力設備專用軟件包的開發 包括智能電源模塊在內的電源模塊的開發此服務可能包括電子功能或系統的設計(請參閱我們的高溫系統設計服務)，這些功能或系統將首先在PCB上驗證。它還包括實現產品工業化和制造的所有步驟，如電氣特性、測試和鑒定。通過這項服務，我們的客戶受益于超過15年的設計和制造可靠的高溫電子元器件的經驗。
CISSOID晶體管和二極管系列：
CHT-PLA8543D-TO257-T
CMT-PLA9869A-TO247
CMT-PLA2218A
CMT-PLA8963A
CHT-PLA8294A-HM8A-T
CHT-PLA2228A-HM8A-T
CHT-PLA3777A-HM8A-T
CHT-PLA3143A-HM8A-T
CHT-PLA1971A-HM8A-T
CHT-PLA6609A-TO257-T
CHT-PLA1122A-TO257-T
CHT-SNMOS80-TO18-T
CHT-NMOS4020-TO254-T
CHT-NMOS4010-TO254-T
CHT-NMOS4005-TO254-T
CHT-NMOS8010-TO254-T
CHT-NMOS8005-TO254-T
CHT-PMOS3008-TO254-T
CHT-PMOS3004-TO254-T
CHT-PMOS3002-TO254-T
CHT-PLA4091A-TDFP16-T
CHT-PLA2016A-CSOIC16-T
CHT-SPMOS30-TO18-T
CHT-PLA9486A-TDFP16-T
CHT-PLA5520A-TO18-T
CHT-PLA5598C-TO18-T
CHT-PLA0738C-TO257-T
CHT-PLA0738B-TO257-T
CHT-PLA0738A-TO257-T
