目前，DRAM 及 NAND Flash 市場疲軟，整體內存和閃存市場降價的狀況將延續至 2019 年上半年，鎂光在日前公布了 2019 財年第一季度財報，雖然業績持續增長但較上一季度已開始放緩， 2019年 DRAM 及 NAND Flash 的價格下跌難以避免，并將影響來年的業績，鎂光有意采取減產措施。 三星、鎂光、海力士三大DRAM廠有意減產彌補降價損失 鎂光 CEO Sanjay Mehrotra 在財報電話會議上表示，由于當前內存市場產能過剩、庫存增加的問題持續，導致價格下跌并且拖累產業，鎂光預測明年 DRAM 芯片產量將增長15%，低于先前預期的 20%，NAND Flash 芯片產量將增長35%，同樣低于先前預期 35% 至 40% 增長率范圍。同時，鎂光預期庫存調整需要幾季時間，可能要等到明年下半年才能解決庫存過高而且供給過剩問題。 為了解決芯片市場需求萎縮導致業績成長減速的狀況，鎂光計劃將全年資本支出下修 12.5 億美元至 95 億美元，以減少 NAND 和 DRAM 存儲器的產量，除了是配合產業的需求量之外，也希望將公司的資本支出保持在高位。 三星、鎂光、海力士三大DRAM廠有意減產彌補降價損失 除了鎂光之外，Samsung、SK Hynix 等公司也計劃削減明年的資本支出以減少 NAND Flash、DRAM 的產能，Samsung 還計劃增加在晶圓代工市場上的份額以彌補儲存晶片降價導致的損失。 三星、鎂光、海力士三大DRAM廠有意減產彌補降價損失

市調機構 IC Insights 預期，明年整體半導體業資本支出可能較今年減少 12%；其中，Samsung、Intel、SK Hynix、臺積電與 Micron 五大廠明年資本支出將減少 14%，其余的半導體廠明年資本支出減少幅度可能較小，將減少約 7%。

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