采用Micro 3封裝的-20V單P溝道HEXFET功率MOSFET
優點：IRLML2246TRPBF
•針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
•針對4.5V柵極驅動電壓（稱為邏輯電平）進行了優化，能夠以2.5V柵極驅動電壓（稱為超級邏輯電平）驅動
•降低了高端配置的設計復雜性（與N通道器件相比）
•更易于連接到微控制器（與N通道設備）
制造商:IRLML2246TRPBF
Infineon
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
2.6 A
Rds On-漏源導通電阻:
157 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1.1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
12 V
Qg-柵極電荷:
2.9 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.3 W
配置:
Single
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.1 mm
長度:
2.9 mm
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
1.3 mm
商標:
Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值:
3.4 S
下降時間:
16 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
7.7 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
26 ns
典型接通延遲時間:
5.3 ns
零件號別名:
SP001552690
單位重量:
8 mg
