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IRLR3410TRPBF

發布時間:2019/8/19 18:45:00 訪問次數:185 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:IRLR3410TRPBF
國際整流器公司的第五代HEXFET利用先進的加工技術來實現每個硅面積的導通電阻最低。 這個好處,再加上快速的切換速度和
HEXFET Power的加固型器件設計MOSFET眾所周知,為設計人員提供了帶有非常高效的設備,可廣泛用于多種應用。D-PAK專為使用以下組件進行表面安裝而設計氣相,紅外或波峰焊技術。直引線版本(IRFU系列)用于通孔安裝應用程序。 功耗水平
典型的表面貼裝可能高達1.5瓦應用。


特征:IRLR3410TRPBF
邏輯電平門驅動
超低導通電阻
表面貼裝(IRLR3410)
直引線(IRLU3410)
先進的工藝技術
快速切換
完全雪崩等級


制造商:IRLR3410TRPBF
Infineon
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-252-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
100 V
Id-連續漏極電流:
15 A
Rds On-漏源導通電阻:
155 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
16 V
Qg-柵極電荷:
22.7 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
52 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
2.3 mm
長度:
6.5 mm
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
HEXFET Power MOSFET
寬度:
6.22 mm
商標:
Infineon / IR
下降時間:
26 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
53 ns
工廠包裝數量:
2000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
30 ns
典型接通延遲時間:
7.2 ns
零件號別名:
SP001567392
單位重量:
4 g

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