600 V MDmesh™DM6 MOSFET系列 意法半導體的600 V至650 V MDmesh DM6快速恢復SJ MOSFET可提高效率和穩定性

意法半導體的MDmesh DM6 MOSFET系列是目前全橋和半橋拓撲的參考。與上一代MDmesh版本相比，DM6結合了優化的電容曲線和終身消除工藝，可實現低柵極電荷（Qg），極低的恢復電荷（Qrr），低恢復時間（trr）和每個區域的RDS（ON）有很好的改善。

特點和好處 極高的dv / dt 極低的RDS（ON）面積和Qg以及針對輕負載條件的優化電容曲線 優化的柔軟度 優化的體二極管恢復階段 應用 電信 LED照明 電動汽車充電站 服務器 太陽能逆變器 600 V MDmesh™DM6 MOSFET系列 圖片 制造商零件編號 描述 可供貨數量 查看詳情


STL45N60DM6 N-CHANNEL 600 V 0.094 OHM TYP。2 200 - 立即發貨 查看詳情


STP45N60DM6 MOSFET 33 - 立即發貨 查看詳情


STW45N60DM6 MOSFET 50 - 立即發貨 查看詳情