碳化硅 (SiC) MOSFET - LSIC1MO170E1000 Littelfuse 的 N 溝道增強型 SiC MOSFET 是高頻電源系統的理想選擇

LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET 的圖片" class="right" height="192" src="https://www.digikey.cn/-/media/Images/Product%20Highlights/L/Littelfuse/LSIC1MO170E1000%20SiC%20MOSFET/littlefuse-LSIC1MO170E1000-sic-mosfet-200.jpg?ts=bfea0cea-ced0-4449-a3ec-cef47303566c&la=zh-CN-RMB" width="200" title="Littelfuse's LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET" style="float:right;margin:0px 0px 10px 15px;max-width:100%;height:auto;" />Littelfuse的 LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET 為傳統的硅基功率晶體管器件提供了有益的替代方案。與類似額定值的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 相比，MOSFET 器件結構可實現更低的每周期開關損耗和更高的輕載效率。

由于其固有的材料特性，該 SiC MOSFET 在阻斷電壓、比導通電阻和結電容方面優于其 Si MOSFET 對應產品。

SiC MOSFET 的狀態

特性 采用 TO-247-3L 封裝，額定 1,700 V，1Ω 用于高頻開關的低柵極電阻 在所有溫度下正常關閉操作 功率密度更高 冷卻要求更低 優勢 每周期開關損耗更低 針對高頻高效應用進行了優化 極低柵極電荷和輸出電容 輕載效率更高 可能降低系統整體成本 應用 電動汽車 (EV) 基礎設施 工業機械 開關模式/不間斷電源 (UPS) 數據中心和云基礎架構 車外 EV 充電器 電機驅動器 高壓 DC/DC 轉換器 太陽能逆變器