STMicroelectronics的 PWD5F60 高密度功率驅動器是一種先進的電源系統級封裝，集成柵極驅動器和四個 N 溝道功率 MOSFET，采用雙半橋配置。集成功率 MOSFET 的 RDS(ON)為 1.38Ω，漏源極擊穿電壓為 600 V，同時嵌入式柵極驅動器的高壓側能夠方便地通過集成自舉二極管供電。該器件集成度高，因此能在狹小空間內高效地驅動負載。
PWD5F60 接受在 10 V 至 20 V 寬范圍內的電源電壓 (VDC)。這類器件在上、下驅動部分都具有 UVLO 保護功能，以防電源開關在低效率或危險條件下工作。輸入引腳可擴展，允許輕松連接微控制器、DSP 單元或霍爾效應傳感器。
PWD5F60 嵌入了兩個非指定比較器，用于防止過流、過熱等。PWD5F60 的工作溫度為 -40°C 至 +125°C。
特性 可達 600 V 的高壓 全橋功率級 IOUT= 5 A 和 RDS(ON)= 1.38Ω 快速恢復二極管（trr= 70 ns） 集成陰極負載二極管 嵌入式 OCP 嵌入 UVLO 保護 可編程空載時間 寬輸入電源電壓范圍：0 V 至 21 V 先進的 QFN 封裝，15 mm x 7 mm 應用 工業風扇和泵 抽油煙機和燃氣加熱器 鼓風機 工業驅動和工廠自動化 電源單元 PWD5F60 High-Density Power Driver 圖片 制造商零件編號 描述 可供貨數量 查看詳情
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HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH
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