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深圳市鑫意誠電子有限公司 聯系電話：13380343102 QQ277487044 胡先生
積極搶食臺積電晶圓代工市場的三星半導體代工事業，在2019 年第2 季的全球市占率停滯不前，加上臺積電過去積累的技術實力、顧客基礎等都已筑成難以跨越的高墻，這使得三星企圖超越臺積電的計劃幾乎難上加難。
三星、臺積電的7nm恩怨情仇
由于聯電與格芯先后宣布，暫停開發7nm技術，而7nm的制程中就只剩下了臺積電與三星兩大超級玩家。
在最近這五年的時間里，臺積電瘋狂的砸了100多億美元，成為了全球第一個量產7nm技術的半導體廠。
2017年5月，臺積電開始測試7nm工藝，并在2018年4月宣布7nm率先進入量產。本來7nm工藝是需要上全新的EUV極紫外光刻技術的，不過臺積電選擇了求穩路線，并沒有急于進入極紫外光刻（EUV）時代，而是選擇了第一代深紫外光刻（DUV）技術，而且效果還很不錯。
隨后，臺積電獲得了大量的7nm訂單，包括蘋果A12、華為麒麟980、高通驍龍855皆采用臺積電7nm工藝，而臺積電CEO也在投資者大會上透露，臺積電的7nm制程已經在2018年量產了超過50款的7nm芯片，而在2019年底將超過100款。
不僅如此，臺積電也已經宣布采用EUV的第二代7nm工藝將于2019年6月開始批量生產。
相對于臺積電來說，三星的7nm稍微來得晚一些。
由于EUV設備初期產能低，成本高，三星的7nm EUV工藝沒有預想的順利，這兩年也就落后于臺積電，同時也丟失了蘋果和高通這樣大客戶的訂單。
三星在2018年4月才宣布完成7nm新工藝的研發，10月進入量產階段。盡管基于EUV光刻技術的7LPP工藝對比現有的10nmFinFET工藝，可以提高20％性能、降低50％功耗、提升40％面積能效。
三星在2018年10月份才宣布7nm EUV工藝量產，已經完成了整套7nm EUV工藝的技術流程開發以及產線部署，進入了可量產階段。三星表示7nm LPP工藝可以減少20％的光學掩模流程，整個制造過程更加簡單了，節省了時間和金錢，又可以實現40％面積能效提升、性能增加20％、功耗降低50％目標。
不過據媒體報道，三星那次宣布的7nm EUV量產名不副實，因為當時的生產線只有韓國華城S3 Line，那里部署了ASML的NXE3400 EUV光刻機，不過該產線之前是生產10nm工藝，這次屬于技術改造。
三星真正量產7nm EUV工藝還需要新的生產線，在韓國華城建設全新的生產線就是專為7nm EUV量產準備的，計劃在2019年底全面完工，7nm EUV大規模量產在2020年底前實現。
可見，三星7nm量產的時間比臺積電第二代7nm產線還要晚近一年的時間。
