描述：AO4468
30V N溝道MOSFET
AO4468結合了先進的溝槽MOSFET
低電阻封裝技術提供RDS（ON）極低。 該設備是負載開關的理想選擇和電池保護應用。
*符合RoHS和無鹵素


產品概要：AO4468
VDS 30V
ID（在VGS = 10V時）10.5A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<17mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<23mΩ
ESD保護
經過100％UIS測試
已測試100％Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO4468
描述MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-N-通道-30V-10.5A（Ta）-3.1W（Ta）-8-SOIC

一般信息：AO4468

數據列表AO4468;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列-


規格：AO4468

FET 類型N 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）10.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）14 毫歐 @ 11.6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）24nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1200pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（最大值）3.1W（Ta）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝8-SOIC
封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）