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AOD478

發布時間:2019/9/12 19:40:00 訪問次數:135 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AOD478
100V N溝道MOSFET
AOD478 / AOI478結合了先進的溝槽
采用低電阻封裝的MOSFET技術提供極低的RDS(ON)。 該設備非常適合升壓轉換器和同步整流器,用于消費類,電信,工業電源和LED
逆光。


產品概要:AOD478
VDS
ID(在VGS = 10V時)11A
RDS(ON)(在VGS = 10V時)<140mΩ
RDS(ON)(在VGS = 4.5V時)<152mΩ
經過100%UIS測試
已測試100%Rg


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AOD478
描述MOSFET N-CH 100V 2.5A TO252
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-N-通道-100V-2.5A(Ta)-11A(Tc)-2.1W(Ta)-45W(Tc)-TO-252-(D-Pak)



一般信息:AOD478

數據列表AOD478/AOI478;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;
標準包裝 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列-


規格:AOD478

FET 類型N 通道
技術MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)2.5A(Ta),11A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)140 毫歐 @ 4.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)13nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)540pF @ 50V
FET 功能-
功率耗散(最大值)2.1W(Ta),45W(Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝TO-252,(D-Pak)
封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

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