描述：AON5820
20V共漏雙N溝道MOSFET
AON5820使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和運行柵極電壓低至2.5V，同時保持12VVGS（MAX）額定值ESD保護。 這個裝置適合
用作單向或雙向負載開關，借助其共漏極配置實現。


產品概要：AON5820
VDS
ID（在VGS = 4.5V時）10A
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<9.5mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.0V時）<10mΩ
RDS（ON）（在VGS = 3.5V時）<10.5mΩ
RDS（ON）（在VGS = 3.1V時）<11.5mΩ
RDS（ON）（在VGS = 2.5V時）<13mΩ
典型的ESD保護HBM 2級

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AON5820
描述MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述2-N-溝道（雙）共漏-Mosfet-陣列-20V-10A-1.7W-表面貼裝型-6-DFN-EP（2x5）

一般信息：AON5820

數據列表AON5820;
標準包裝 5,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
系列-

規格：AON5820

FET 類型2 N 溝道（雙）共漏
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）10A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）9.5 毫歐 @ 10A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）15nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1510pF @ 10V
功率 - 最大值1.7W
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼6-SMD，扁平引線裸焊盤
供應商器件封裝6-DFN-EP（2x5）