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AO4443

發布時間:2019/9/12 19:39:00 訪問次數:123 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AO4443
40V P溝道MOSFET
AO4443結合了先進的溝槽MOSFET
低電阻封裝技術提供RDS(ON)極低。 該設備是負載開關的理想選擇和電池保護應用。


產品概要:AO4443
VDS
ID(在VGS = -10V時)-6A
RDS(ON)(在VGS = -10V時)<42mΩ
RDS(ON)(在VGS = -4.5V時)<63mΩ
經過100%UIS測試
已測試100%Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO4443
描述MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-P-通道-40V-6A(Ta)-3.1W(Ta)-8-SOIC



一般信息:AO4443

數據列表AO4443;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列-


規格:AO4443

FET 類型P 通道
技術MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)40V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)6A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)42 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)22nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)1175pF @ 20V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝8-SOIC
封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

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