描述：AON6414AL
30V N溝道MOSFET
AON6414A使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS（ON），低柵極電荷。適合用作SMPS和通用應用程序。

產品概要：AON6414AL
VDS 30V
ID（在VGS = 10V時）30A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<8mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<10.5mΩ
經過100％UIS測試
已測試100％Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AON6414AL
描述MOSFET N-CH 30V DFN
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
詳細描述表面貼裝型-N-通道-30V-13A（Ta）-30A（Tc）-2.3W（Ta）-31W（Tc）-8-DFN（5x6）

一般信息：AON6414AL

數據列表AON6414A;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列-

規格：AON6414AL

FET 類型N 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）13A（Ta），30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）8 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）24nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1380pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（最大值）2.3W（Ta），31W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝8-DFN（5x6）
封裝/外殼8-VDFN 裸露焊盤