描述：NTJD5121NT1G

MOSFET –功率，雙路，N通道帶ESD保護，SC-8860 V，295毫安

特征：NTJD5121NT1G
•低RDS（on）
•低門限
•低輸入電容
•ESD保護門
•適用于汽車和其他要求獨特的NV前綴
現場和控制變更要求； 通過AEC-Q101認證并
具備PPAP
•這是無鉛設備

應用領域：NTJD5121NT1G
•低壓側負荷開關
•DC-DC轉換器（降壓和升壓電路）

制造商:
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SC-88-6
通道數量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
295 mA
Rds On-漏源導通電阻:
1.6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
250 mW
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.9 mm
長度:
2 mm
系列:
NTJD5121N
晶體管類型:
2 N-Channel
寬度:
1.25 mm
商標:
ON Semiconductor
下降時間:
32 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
34 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
34 ns
典型接通延遲時間:
22 ns
單位重量:
6 mg