描述：IXFH34N65X2
N通道增強模式雪崩額定

特征：IXFH34N65X2
國際標準包裝
低RDS（ON）和QG雪崩等級
低封裝電感

好處：IXFH34N65X2
高功率密度
易于安裝
節省空間

應用領域：IXFH34N65X2
開關模式和諧振模式
電源
DC-DC轉換器
PFC電路
交流和直流電動機驅動器
機器人和伺服控制

制造商:IXFH34N65X2
IXYS
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
650 V
Id-連續漏極電流:
34 A
Rds On-漏源導通電阻:
105 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2.7 V
Qg-柵極電荷:
56 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
540 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
HiPerFET
封裝:
Tube
系列:
650V Ultra Junction X2
商標:
IXYS
正向跨導 - 最小值:
14 S
下降時間:
16 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
45 ns
工廠包裝數量:
30
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
47 ns
典型接通延遲時間:
46 ns
單位重量:
1.600 g