描述：IRLL110TRPBF
Vishay的第三代功率MOSFET提供了具有快速切換的最佳組合的設計師，堅固耐用的設備設計，低導通電阻和成本效益。SOT-223封裝專為表面安裝而設計使用氣相，紅外或波峰焊技術。其獨特的包裝設計可輕松實現自動化像其他SOT或SOIC封裝一樣進行取放具有改善熱性能的附加優勢由于散熱片的擴大。 功耗在典型的表面貼裝中可能大于1.25 W應用。

特征：IRLL110TRPBF
• 表面貼裝
•提供卷帶包裝
•動態dV / dt額定值
•重復雪崩等級
•邏輯級柵極驅動
•RDS（on）在VGS = 4 V和5 V時指定
•快速切換
•材料

制造商:IRLL110TRPBF
Vishay
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-223-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
100 V
Id-連續漏極電流:
1.5 A
Rds On-漏源導通電阻:
540 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Qg-柵極電荷:
6.1 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
3.1 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.8 mm
長度:
6.5 mm
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
3.5 mm
商標:
Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值:
0.57 S
下降時間:
18 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
47 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
16 ns
典型接通延遲時間:
9.3 ns
單位重量:
250 mg