描述：AO6800
30V雙N溝道MOSFET
AO6800使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和帶柵極工作電壓低至2.5V。 該設備適合用作負載開關或PWM應用中。

產品概要：AO6800
VDS 30V
ID（在VGS = 10V時）3.4A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<60mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<70mΩ
RDS（ON）（在VGS = 2.5V時）<90mΩ

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO6800
描述MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述2-N-通道（雙）-Mosfet-陣列-30V-3.4A-1.15W-表面貼裝型-6-TSOP

一般信息：AO6800

數據列表AO6800;
TSOP6 Pkg Drawing;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
系列-
其它名稱785-1081-2


規格：AO6800

FET 類型2 N-通道（雙）
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）3.4A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）60 毫歐 @ 3.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）10nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）235pF @ 15V
功率 - 最大值1.15W
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼SC-74，SOT-457
供應商器件封裝6-TSOP