描述：AO6601
30V互補MOSFET
AO6601使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 的互補MOSFET形成高速功率逆變器，適合多種應用。

產品概要：AO6601
N通道P通道
VDS = 30V -30V
ID = 3.4A（VGS = 10V）-2.3A（VGS = -10V）
RDS（開啟）RDS（開啟）
<60mΩ（VGS = 10V）<115mΩ（VGS = -10V）
<70mΩ（VGS = 4.5V）<150mΩ（VGS = -4.5V）
<90mΩ（VGS = 2.5V）<200mΩ（VGS = -2.5V）

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO6601
描述MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述N-和-P-溝道互補型-Mosfet-陣列-30V-3.4A-2.3A-1.15W-表面貼裝型-6-TSOP

一般信息：AO6601

數據列表AO6601;
TSOP6 Pkg Drawing;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
系列-
其它名稱785-1076-2


規格：AO6601

FET 類型N 和 P 溝道互補型
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）3.4A，2.3A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）60 毫歐 @ 3.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）285pF @ 15V
功率 - 最大值1.15W
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼SC-74，SOT-457
供應商器件封裝6-TSOP