描述：AO4403
30V P溝道MOSFET
AO4403使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和帶柵極工作電壓低至2.5V。 該設備適合用作負載開關或PWM應用中。

產品概要：AO4403
VDS 30V
ID（在VGS = -10V時）-6A
RDS（ON）（在VGS = -10V時）<48mΩ
RDS（ON）（在VGS = -4.5V時）<57mΩ
RDS（ON）（在VGS = -2.5V時）<80mΩ
經過100％UIS測試
已測試100％Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO4403
描述MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-P-通道-30V-6A（Ta）-3.1W（Ta）-8-SOIC

一般信息：AO4403

數據列表AO4403;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列-
其它名稱785-1019-2


規格：AO4403

FET 類型P 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）6A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）46 毫歐 @ 6.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）11.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1128pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（最大值）3.1W（Ta）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝8-SOIC
封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）